存储器模块数据缓存器制造技术

本发明专利技术包含与非易失性双列直插式存储器模块NVDIMM中的数据缓存器相关的设备和方法。实例设备可包含：数据缓存器，其可耦合到主机；第一存储器装置(例如易失性存储器)，其中所述第一存储器装置经由第一总线耦合到所述数据缓存器；第二存储器装置(例如非易失性存储器)；和控制器，其中所述控制器经由第二总线耦合到所述数据缓存器，且其中所述控制器配置成使得经由所述数据缓存器和所述第二总线将数据从第一存储器装置传送到所述第二存储器装置。置。置。

【技术实现步骤摘要】
存储器模块数据缓存器
[0001]优先权信息
[0002]本申请案为2020年12月31日提交的美国临时申请案第63/132,818号的非临时申 请案，所述申请案的内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本公开大体上涉及存储器装置，且更具体地说，涉及用于存储器模块中的数据缓存 器的设备和方法。

技术介绍

[0004]存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多 不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其 数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存 取存储器(SDRAM)以及其它。非易失性存储器可通过在未被供电时保持所存储的数据而 提供持久的数据，且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、 电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)和电阻可变存储器，例 如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)和磁阻性随机存取存 储器(MRAM)以及其它。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于缓存数据的设备，其包括：数据缓存器(232)，其能耦合到主机；第一存储器装置(230)，其经由第一总线(244)耦合到所述数据缓存器；第二存储器装置(220)；以及控制器(214)，其经由第二总线(242)耦合到所述数据缓存器，且配置成使得经由所述数据缓存器和所述第二总线将数据从第一存储器装置传送到所述第二存储器装置。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述数据缓存器包含多路复用器(248)，所述多路复用器(248)配置成选择第三总线以将数据从所述主机传送到所述第一存储器装置。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述数据缓存器包含多路复用器，所述多路复用器配置成选择所述第二总线以将数据从所述第一存储器装置传送到所述第二存储器装置。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二总线为边带总线。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备为非易失性双列直插式存储器模块NVDIMM，所述第一存储器装置为易失性存储器装置，且所述第二存储器装置为非易失性存储器装置。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二存储器装置为非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置配置成在严重保存操作期间存储来自所述第一存储器装置的数据。7.一种用于缓存数据的设备，其包括：存储器模块(21)，其中所述存储器模块包含耦合到数据缓存器(232)的第一存储器装置(230)，所述数据缓存器耦合到控制器(214)，和耦合到所述控制器的第二存储器装置(220)，其中所述存储器模块耦合到主机，且其中所述存储器模块配置成：接收第一数目个命令以经由所述数据缓存器在所述第一存储器装置与所述主机之间传送数据；以及接收第二数目个命令以经由所述数据缓存器在所述第一存储器装置与所述第二存储器装置之间传送数据。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述数据缓存器经由第一总线耦合到所述主机，且所述数据缓存器经由第二总线耦合到所述第一存储器装置。9.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一存储器装置的每个DQ引脚耦合到所述第二总线。10.根据权利要求7所述的设备，其中所述数据缓存器经由第三总线耦合到所述控制器，所述第三总线为配置成用于串行化数据传送的边带总线。11.一种用于缓存数据的设备，其包括：寄存器时钟驱动器RCD(360)；控制器(314)，其耦合到所述RCD且配置成经由所述RCD接收来自主机的命令；第一数目个存储器装置(330)，其经由所述RCD且经由数个数据缓存器(332)耦合到所述控制器；以及第二数目个存储器装置(320)，其耦合到所述控制器，其中所述数个数据缓存器各自包含多路复用器(348)，所述多路复用器(348)配置成选择第一总线(340)以在所述数个数据缓存器与所述主机之间传送数据，且配置成选择第二总线(342)以在所述数个数据缓存器与所述控制器之间传送数据。
12.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：W，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：