具有在低波长下具有透明度的窗口的化学机械抛光垫和用于这种窗口的材料制造技术

一种用于化学机械抛光的抛光垫。所述抛光垫包括具有顶部抛光表面和抛光材料的抛光部分。存在贯穿所述抛光垫的开口且开口内有透明窗口。所述透明窗口固定在所述抛光垫上。所述窗口包含聚氨酯组合物，所述聚氨酯组合物是使聚合多元醇、聚异氰酸酯和固化剂在用于减小硬链段域尺寸的硬链段抑制剂的存在下反应形成的。所述固化剂包含三个或更多个形成硬链段的羟基，并且所述聚氨酯组合物是软链段基质中的硬链段的无定形混合物并且不含碳碳双键。硬链段的无定形混合物并且不含碳碳双键。硬链段的无定形混合物并且不含碳碳双键。

【技术实现步骤摘要】
具有在低波长下具有透明度的窗口的化学机械抛光垫和用于这种窗口的材料


[0001]本专利技术总体上涉及用于衬底如磁性衬底、光学衬底和半导体衬底的化学机械抛光的抛光垫领域，包括存储器和逻辑集成电路的前段(FEOL)或后段(BEOL)处理，其中抛光垫具有便于终点检测的窗口。本专利技术还涉及用于此类窗口的材料。

技术介绍

[0002]在集成电路以及其他电子装置的制造中，将多层导电材料、半导电材料以及介电材料沉积在半导体晶片的表面上或从半导体晶片的表面上部分地或选择性地移除。可以使用许多沉积技术来沉积导电材料、半导电材料以及介电材料的薄层。在现代晶片加工中常见的沉积技术包括除其他之外，物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、以及电化学沉积(ECD)。常见的移除技术除其他之外包括湿蚀刻和干蚀刻；各向同性蚀刻和各向异性蚀刻。
[0003]随着材料层被依次地沉积和移除，晶片的形貌(即最上表面)变成非均匀或非平面的。因为后续的半导体加工(例如光刻、金属化等)要求晶片具有平坦的表面，所以需要对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于化学机械抛光的抛光垫，其包括具有顶部抛光表面和抛光材料的抛光部分，贯穿所述抛光垫的开口，以及在所述抛光垫中的开口内的透明窗口，所述透明窗口固定在抛光垫上；其中所述窗口包含聚氨酯组合物，所述聚氨酯组合物是使聚合多元醇、聚异氰酸酯、和包含三个或更多个形成硬链段的羟基的固化剂在用于减小硬链段域尺寸的硬链段抑制剂的存在下反应形成的，并且其中所述聚氨酯组合物是软链段基质中的硬链段的无定形混合物，并且所述聚氨酯组合物不含碳碳双键。2.如权利要求1所述抛光垫，其中，所述聚合多元醇是不含碳碳双键并且具有300至4000的数均分子量的聚合二醇。3.如权利要求1所述的抛光垫，其中，所述硬链段抑制剂是可溶于不含碳碳双键的液态聚氨酯的阴离子或非离子添加剂。4.如权利要求1所述的抛光垫，其中，所述硬链段抑制剂是聚氧化烯烃的硫酸酯、磺酸酯或磷酸酯。5.如权利要求1所述的抛光垫，其中，所述固化剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：