【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光垫
[0001]本技术涉及化学机械抛光
,具体涉及一种化学机械抛光垫。
技术介绍
[0002]近年来,为了降低硅集成电路的生产成本,硅片尺寸逐渐增加,其上电子元件集成度更高,器件的特殊尺寸也在不断缩小。加工过程中,为了保证光刻质量,硅片的表面平整度要求达到纳米级。而化学机械抛光是目前唯一能实现目的的方法。抛光垫在化学机械抛光过程中承担了物理抛光及承载抛光液等功能,其产品质量对加工品质至关重要。
[0003]传统的抛光垫的表面为光滑的表面,光滑的抛光垫在化学机械抛光过程中表面压力分布不均,且抛光液流动性较差,导致硅片表面过抛光、被刮伤等问题,目前主要是在抛光垫表面开槽的方式解决这个问题。研究表明,抛光垫表面的径向沟槽能提高抛液能力,带走抛光过程中产生的碎屑,减少硅片表面刮伤,而周向沟槽有助于储液,提高抛光液利用率。目前,常见的沟槽形状有沿径向的渐开线型、放射线型,沿周向的同心圆环形、对数螺线型,以及X
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Y方向相互垂直的栅格型,如专利CN106564004B公开了一种带有径向沟槽...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光垫,其特征在于,包括第一抛光层和第二抛光层;所述第二抛光层设置在所述第一抛光层上;所述第二抛光层为棱柱阵列层,包括若干阵列排布的棱柱,且相邻的棱柱之间形成具有沟槽;所述第一抛光层与所述第二抛光层的材料相同或不同。2.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光垫,其特征在于,所述第二抛光层与所述第一抛光层之间具有粘接层;所述第二抛光层通过所述粘接层粘贴在所述第一抛光层的表面上。3.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光垫,其特征在于,所述第一抛光层与所述第二抛光层的材料相同,且为聚氨酯。4.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光垫,其特征在于,所述第一抛光层为圆形,面积为Sa,且280000mm2≤Sa≤2100000mm2。5.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光垫,...
【专利技术属性】
技术研发人员:袁黎光,肖亮锋,王杰,刘健,石鑫,杨小牛,
申请(专利权)人:广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院,
类型:新型
国别省市:
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