自旋二极管器件制造技术

本公开涉及一种自旋二极管器件。根据各种实施例，一种自旋二极管器件可以包括磁隧道结堆叠。磁隧道结堆叠可以包括下磁性层、位于下磁性层上方的隧道势垒层、以及位于隧道势垒层上方的上磁性层。下磁性层可以包括下磁性膜。隧道势垒层包括绝缘材料。上磁性层可以包括上磁性膜。下磁性膜和上磁性膜中的每一者可以具有垂直磁各向异性。有垂直磁各向异性。有垂直磁各向异性。

【技术实现步骤摘要】
自旋二极管器件


[0001]各种实施例涉及包括磁隧道结的自旋二极管器件。

技术介绍

[0002]对能够检测低功率微波的微波检测器件的需求不断增加。现有的解决方案，例如自旋二极管，通常在检测低功率微波方面表现不佳。为了改善自旋二极管的低功率工作性能，通常需要外部能量来在自旋二极管的磁隧道结堆叠中引起共振。然而，必须为自旋二极管提供外部能量源会导致器件整体尺寸更大并且导致器件的耐用性有限。此外，现有的自旋二极管只能利用单个频率带宽的微波。因此，需要多个自旋二极管来利用多个频率带宽的微波。

技术实现思路

[0003]根据各种实施例，提供了一种自旋二极管器件。所述自旋二极管器件可以包括磁隧道结堆叠。所述磁隧道结堆叠可以包括下磁性层、位于所述下磁性层上方的隧道势垒层、以及位于所述隧道势垒层上方的上磁性层。所述下磁性层可以包括下磁性膜。所述隧道势垒层包括绝缘材料。所述上磁性层可以包括上磁性膜。所述下磁性膜和所述上磁性膜中的每一者可以具有垂直磁各向异性。
附图说明
[0004]在附图中，贯穿不同的视图，相似的参考标号通常指示相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自旋二极管器件，包括：磁隧道结堆叠，其包括：包括下磁性膜的下磁性层；位于所述下磁性层上方的隧道势垒层，所述隧道势垒层包括绝缘材料；以及位于所述隧道势垒层上方的上磁性层，所述上磁性层包括上磁性膜；其中所述下磁性膜和所述上磁性膜中的每一者具有垂直磁各向异性。2.根据权利要求1所述的自旋二极管器件，其中所述下磁性膜和所述上磁性膜的磁化方向是反平行的。3.根据权利要求1所述的自旋二极管器件，其中所述下磁性膜和所述上磁性膜具有不同的固有铁磁共振频率。4.根据权利要求1所述的自旋二极管器件，其中所述下磁性层和所述上磁性层中的每一者包括合成反铁磁体。5.根据权利要求1所述的自旋二极管器件，其中所述自旋二极管器件被配置为检测以与所述下磁性膜的固有铁磁共振频率匹配的频率振荡的微波，并且还被配置为检测以与所述上磁性膜的固有铁磁共振频率匹配的频率振荡的微波。6.根据权利要求4所述的自旋二极管器件，其中当所述下磁性膜和所述上磁性膜中的一者吸收以与其固有铁磁共振频率匹配的频率振荡的微波时，跨所述磁隧道结堆叠的电阻发生变化，其中所述自旋二极管器件被配置为基于跨所述磁隧道结堆叠的所述电阻的变化来检测所述微波。7.根据权利要求1所述的自旋二极管器件，其中所述下磁性层还包括：位于所述下磁性膜上方的下耦合层，以及位于所述下耦合层上方的另外的下磁性膜，其中所述另外的下磁性膜具有垂直磁各向异性。8.根据权利要求7所述的自旋二极管器件，其中所述下磁性膜和所述另外的下磁性膜的磁化方向是反平行的。9.根据权利要求7所述的自旋二极管器件，其中所述下磁性膜和所述另外的下磁性膜具有不同的固有铁磁共振频率。10.根据权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：W，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：