自旋存储单元以及存储器制造技术

本发明专利技术提供一种自旋存储单元，包括：自旋轨道矩提供层；第一偏置层，形成在所述自旋轨道矩提供层上；所述第一偏置层用于提供第一偏置磁场；第二偏置层，形成在所述第一偏置层上；所述第二偏置层用于提供第二偏置磁场；磁隧道结叠层结构，形成在所述第二偏置层上；所述磁隧道结叠层结构的自由层和参考层的磁化方向与所述第一偏置层和所述第二偏置层的磁化方向垂直。本发明专利技术能够通过第一偏置层的磁化方向的改变，使偏置磁场具有两种不同的状态，两种状态下的偏置磁场分别用于STT

【技术实现步骤摘要】
自旋存储单元以及存储器


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种自旋存储单元以及存储器。

技术介绍

[0002]自旋传递转矩磁阻随机存取存储器STT
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MRAM是一种新型存储器，具有高速、低功耗和非易失性。然而目前的STT
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MRAM存在一个固有问题，即速度、功耗、非易失性之间的平衡问题：STT
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MRAM的非易失性越强，数据保存时间越长，读数据过程中受到的干扰也越小，但是与此同时写入过程所需的翻转电流也越大，功耗也越高。因此想要同时优化功耗与非易失性只能通过提高STT效率、降低阻尼因子。
[0003]在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在如下技术问题：现有技术中的STT
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MRAM的功耗和存储稳定性难以兼顾。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供的自旋存储单元以及存储器，能够通过第一偏置层的磁化方向的改变，使偏置磁场具有两种不同的状态，两种状态下的偏置磁场分别用于STT
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>MRAM降低读写功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自旋存储单元，其特征在于，包括：自旋轨道矩提供层；第一偏置层，形成在所述自旋轨道矩提供层上；所述第一偏置层用于提供第一偏置磁场；第二偏置层，形成在所述第一偏置层上；所述第二偏置层用于提供第二偏置磁场；磁隧道结叠层结构，形成在所述第二偏置层上；所述磁隧道结叠层结构的自由层和参考层的磁化方向与所述第一偏置层和所述第二偏置层的磁化方向垂直。2.根据权利要求1所述自旋存储单元，其特征在于，所述第一偏置层和第二偏置层之间还具有隔离层，所述隔离层用于降低所述第一偏置层和第二偏置层之间的耦合强度。3.根据权利要求1所述自旋存储单元，其特征在于，所述第一偏置层和第二偏置层之间还具有耦合层，所述耦合层用于使所述第一偏置层和所述第二偏置层之间形成铁磁耦合或者反铁磁耦合。4.根据权利要求1所述自旋存储单元，其特征在于，所述此隧道结叠层结构与所述第二偏置层之间还具有插入层，所述插入层用于降低所述磁隧道结叠层结构的自由层和所述第二偏置层之间的耦合作用。5.根据权利要求1所述自旋存储单元，其特征在于，所述磁隧道结叠层结构的数量为一个以上。6.根据权利要求1所述自旋存储单元，其特征在于，所述自旋轨道矩提...

【专利技术属性】
技术研发人员：迟克群，石以诺，李州，张文彪，孟皓，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：