卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片制造技术

本发明专利技术公开一种卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片。卷绕型电解电容器封装结构包括卷绕型电容器、封装结构、第一导电接脚以及第二导电接脚。卷绕型电容器包括卷绕式正极箔片以及卷绕式抗腐蚀负极箔片。卷绕型电容器被容置在封装结构内。第一导电接脚与第二导电接脚电性接触卷绕型电容器。卷绕式抗腐蚀负极箔片包括导电基底以及分别设置在导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层。借此，导电化合物层能用于防止导电基底被电解液溶液所接触而受到腐蚀，所以导电基底的厚度能通过导电化合物层的保护而不会改变。能通过导电化合物层的保护而不会改变。能通过导电化合物层的保护而不会改变。

【技术实现步骤摘要】
卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片


[0001]本专利技术涉及一种电容器封装结构及其卷绕式负极箔片，特别是涉及一种卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片。

技术介绍

[0002]电容器已广泛被使用于消费性家电用品、计算机主板、电源供应器、通讯产品以及汽车等的基本组件，其主要的作用包括滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等等，是电子产品中不可缺少的组件之一。然而，现有技术中的卷绕型电容器的负极箔片容易受到电解液溶液的腐蚀而降低其原有厚度。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片。
[0004]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是提供一种卷绕型电解电容器封装结构，其包括：一卷绕型电容器、一封装结构、一第一导电接脚以及一第二导电接脚。卷绕型电容器包括一卷绕式正极箔片、一卷绕式抗腐蚀负极箔片以及两个卷绕式绝缘隔离纸，两个卷绕式绝缘隔离纸的其中之一设置在卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之间，卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者其中之一设置在两个卷绕式绝缘隔离纸之间。卷绕型电容器被容置在封装结构内。第一导电接脚包括被容置在封装结构的内部的一第一内埋部以及裸露在封装结构的外部的一第一裸露部，第一导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的其中一个。第二导电接脚包括被容置在封装结构的内部的一第二内埋部以及裸露在封装结构的外部的一第二裸露部，第二导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的另外一个。其中，卷绕式抗腐蚀负极箔片包括一导电基底以及分别设置在导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层，且导电化合物层为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者。
[0005]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案是提供一种卷绕型电解电容器封装结构，其包括：一卷绕型电容器、一封装结构、一第一导电接脚以及一第二导电接脚。卷绕型电容器包括一卷绕式正极箔片以及一卷绕式抗腐蚀负极箔片。卷绕型电容器被容置在封装结构内。第一导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的其中一个。第二导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的另外一个。其中，卷绕式抗腐蚀负极箔片包括一导电基底以及分别设置在导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层，且导电化合物层为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者。
[0006]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外再一技术方案是提供一种卷绕型电解电容器封装结构，其包括：一卷绕型电容器、一封装结构、一第一导电接脚以及一第二
导电接脚。卷绕型电容器包括一卷绕式正极箔片以及一卷绕式抗腐蚀负极箔片。卷绕型电容器被容置在封装结构内。第一导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的其中一个。第二导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的另外一个。其中，卷绕式抗腐蚀负极箔片包括一导电基底以及分别设置在导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层，且导电化合物层为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者。
[0007]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外又一技术方案是提供一种卷绕式抗腐蚀负极箔片，其包括：一导电基底以及两个导电化合物层。两个导电化合物层分别设置在导电基底的两相反表面上。其中，导电化合物层为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者。其中，氮化物层至少由氮化物(nitride)所制成，且氮化物选自于由氮化硅(Si3N4)、氮化钛(TiN)、氮化铝(AlN)、氮化钛铝((Ti,Al)N)、氮化铬(CrN)、氮化钼(MoN)、氮化钨(WN)以及氮化钽(TaN)所组成的群组；其中，碳化物层至少由碳化物(carbide)所制成，且碳化物选自于由碳化钛(TiC)、碳化铝(AlC)、碳化铬(CrC)、碳化钼(MoC)、碳化钨(WC)以及碳化钽(TaC)所组成的群组；其中，碳氮化物层至少由碳氮化物(carbon nitride)所制成，且碳氮化物选自于由碳氮化钛(TiC
x
N
y
)、碳氮化铝(AlC
x
N
y
)、碳氮化铬(CrC
x
N
y
)、碳氮化钼(MoC
x
N
y
)、碳氮化钨(WC
x
N
y
)以及碳氮化钽(TaC
x
N
y
)所组成的群组；其中，氮氧化物层至少由氮氧化物所制成，且氮氧化物选自于由氮氧化钛(TiO
x
N
y
)、氮氧化铝(AlO
x
N
y
)、氮氧化铬(CrO
x
N
y
)、氮氧化钼(MoO
x
N
y
)、氮氧化钨(WO
x
N
y
)以及氮氧化钽(TaO
x
N
y
)所组成的群组；其中，碳氧化物层至少由碳氧化物(carbon oxide)所制成，且碳氧化物选自于由碳氧化钛(TiO
x
C
y
)、碳氧化铝(AlO
x
C
y
)、碳氧化铬(CrO
x
C
y
)、碳氧化钼(MoO
x
C
y
)、碳氧化钨(WO
x
C
y
)以及碳氧化钽(TaO
x
C
y
)所组成的群组。
[0008]本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术所提供的一种卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片，其能通过“卷绕式抗腐蚀负极箔片包括一导电基底以及分别设置在导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层”以及“导电化合物层为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者”的技术方案，以使得导电化合物层能用于防止导电基底被电解液溶液所接触而受到腐蚀，所以导电基底的厚度能通过导电化合物层的保护而不会改变。
[0009]为使能进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。
附图说明
[0010]图1为本专利技术所提供的卷绕型电解电容器封装结构的卷绕型电容器的示意图。
[0011]图2为本专利技术所提供的卷绕型电解电容器封装结构的示意图。
[0012]图3为本专利技术第一实施例所提供的卷绕型电解电容器封装结构的卷绕式抗腐蚀负极箔片的示意图。
[0013]图4为图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述卷绕型电解电容器封装结构包括：卷绕型电容器，所述卷绕型电容器包括卷绕式正极箔片、卷绕式抗腐蚀负极箔片以及两个卷绕式绝缘隔离纸，两个所述卷绕式绝缘隔离纸的其中之一设置在所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之间，所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者其中之一设置在两个所述卷绕式绝缘隔离纸之间；封装结构，所述卷绕型电容器被容置在所述封装结构内；第一导电接脚，所述第一导电接脚包括被容置在所述封装结构的内部的第一内埋部以及裸露在所述封装结构的外部的第一裸露部，所述第一导电接脚电性接触所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的其中一个；以及第二导电接脚，所述第二导电接脚包括被容置在所述封装结构的内部的第二内埋部以及裸露在所述封装结构的外部的第二裸露部，所述第二导电接脚电性接触所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的另外一个；其中，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片包括导电基底以及分别设置在所述导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层，且所述导电化合物层为氮化物层、碳化物层、碳氮化物层、氮氧化物层以及碳氧化物层之中的至少一种。2.根据权利要求1所述的卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片的厚度小于或者等于50μm，所述导电基底的两个所述表面都是粗糙化表面，且所述粗糙化表面的粗糙度小于或者等于50μm；其中，所述导电基底为Al材料，且所述导电基底没有氧化层且没有腐蚀层，或者所述导电基底有氧化层而无腐蚀层；其中，所述导电化合物层为厚度介于10nm至2000nm之间的电解液溶液阻隔层，以用于防止所述导电基底被电解液溶液所接触而受到腐蚀，所以所述导电基底的厚度通过所述导电化合物层的保护而不会改变；其中，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片以日本电子情报技术产业协会的耐水和性试验方法在试测前与测试后所得到介于1～10％之间的静电容量变化以及介于0～5％之间的耐电压变化率。3.根据权利要求1所述的卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述氮化物层至少由氮化物所制成，且所述氮化物选自于由氮化硅、氮化钛、氮化铝、氮化钛铝、氮化铬、氮化钼、氮化钨以及氮化钽所组成的群组；其中，所述碳化物层至少由碳化物所制成，且所述碳化物选自于由碳化钛、碳化铝、碳化铬、碳化钼、碳化钨以及碳化钽所组成的群组；其中，所述碳氮化物层至少由碳氮化物所制成，且所述碳氮化物选自于由碳氮化钛、碳氮化铝、碳氮化铬、碳氮化钼、碳氮化钨以及碳氮化钽所组成的群组；其中，所述氮氧化物层至少由氮氧化物所制成，且所述氮氧化物选自于由氮氧化钛、氮氧化铝、氮氧化铬、氮氧化钼、氮氧化钨以及氮氧化钽所组成的群组；其中，所述碳氧化物层至少由碳氧化物所制成，且所述碳氧化物选自于由碳氧化钛、碳氧化铝、碳氧化铬、碳氧化钼、碳氧化钨以及碳氧化钽所组成的群组。4.一种卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述卷绕型电解电容器封装结构包括：卷绕型电容器，所述卷绕型电容器包括卷绕式正极箔片以及卷绕式抗腐蚀负极箔片；封装结构，所述卷绕型电容器被容置在所述封装结构内；
第一导电接脚，所述第一导电接脚电性接触所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的其中一个；以及第二导电接脚，所述第二导电接脚电性接触所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的另外一个；其中，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片包括导电基底以及分别设置在所述导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层，且所述导电化合物层为氮化物层、碳化物层、碳氮化物层、氮氧化物层以及碳氧化物层之中的至少一种。5.根据权利要求4所述的卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片的厚度小于或者等于50μm，所述导电基底的两个所述表面都是粗糙化表面，且所述粗糙化表面的粗糙度小于或者等于50μm；其中，所述导电基底为Al材料，且所述导电基底没有氧化层且没有腐蚀层，或者所述导电基底有氧化层而无腐蚀层；其中，所述导电化合物层为厚度介于10nm至2000nm之间的电解液溶液阻隔层，以用于防止所述导电基底被电解液溶液所接触而受到腐蚀，所以所述导电基底的厚度通过所述导电化合物层的保护而不会改变；其中，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片以日本电子情报技术产业协会的耐水和性试验方法在试测前与测试后所得到介于1～10％之间的静电容量变化以及介于0～5％之间的耐电压变...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱明谷，方皓苇，吴家钰，
申请(专利权)人：禾达材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：