电磁波屏蔽件以及应用电磁波屏蔽件的传输线组件制造技术

本发明专利技术公开一种电磁波屏蔽件以及应用电磁波屏蔽件的传输线组件。电磁波屏蔽件包括量子阱结构以及电子传输结构。量子阱结构包括至少两个阻挡层以及位于两个阻挡层之间的至少一载流子限制层。电子传输结构位于量子阱结构的其中一侧，且电子传输结构的至少一部分具有导电性。本发明专利技术提供的电磁波屏蔽件可吸收高频以及低频的电磁波噪声，以抑制电磁干扰。

【技术实现步骤摘要】
电磁波屏蔽件以及应用电磁波屏蔽件的传输线组件
本专利技术涉及一种电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件，特别是涉及一种可在信号传输时有效抑制串扰的电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件。
技术介绍
近年来，随着电子产品朝向轻薄短小的趋势发展，高频与高速的信号传输需求，电子产品内的各个芯片(如：无线通信芯片)之间，以及应用于传输高频信号的缆线内部的传输导线的配置也越来越密集。据此，芯片所产生的电磁波很容易对其他芯片造成电磁干扰。相似地，当高频以及低频信号通过缆线内部的传输线传递时，两相邻的传输线之间很容易因为电磁波的耦合或者漫射而相互串扰(Crosstalk)。在现有技术手段中，通常会将金属屏蔽层覆盖于芯片外部或者是覆盖在用以传输信号的缆线，以防止电磁干扰。然而，金属屏蔽层无法吸收频率1GHz以上高频电磁波，而仍有可能干扰其他传输线所传输的信号。据此，如何屏蔽高频电磁波，以减少信号传输的噪声，仍为本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种电磁波屏蔽件，以减少电磁波噪声对信号传输线所造成的串扰。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种电磁波屏蔽件，其包括量子阱结构及电子传输结构。量子阱结构包括至少两个阻挡层以及位于两个阻挡层之间的至少一载流子限制层。电子传输结构设置于量子阱结构的其中一侧。电子传输结构的至少一部分具有导电性。更进一步地，电子传输结构包括至少一单一导电层或至少一复合导电层更进一步地，电子传输结构包括一第一层以及位于第一层以及量子阱结构之间的一第二层，第一层为一复合导电层，且包括一第一导电部分以及一第一绝缘部分，第一导电部分与第一绝缘部分在一水平方向上交错分布。更进一步地，电子传输结构包括一第一层以及位于第一层以及量子阱结构之间的一第二层，第二层为一复合导电层，并包括一第二导电部分以及一第二绝缘部分，第二导电部分与第二绝缘部分在一水平方向上交错分布。更进一步地，电子传输结构为一复合导电层，复合导电层包括一导电部分以及一绝缘部分，导电部分与绝缘部分在一水平方向上交错分布。更进一步地，电子传输结构包括一第一层以及位于第一层以及量子阱结构之间的一第二层。第一层为一复合导电层，且包括一第一导电部分以及一第一绝缘部分，第一导电部分与第一绝缘部分在一水平方向上交错分布。第二层为一另一复合导电层，并包括一第二导电部分以及一第二绝缘部分，第二导电部分与第二绝缘部分在一水平方向上交错分布。每一第一导电部分与每一第二导电部分相互错开。更进一步地，电磁波屏蔽件，还进一步包括：另一电子传输结构，其中，两个电子传输结构分别位于量子阱结构的相反两侧。更进一步地，每一阻挡层的导电带与相邻的载流子限制层的导电带之间所形成的能隙差值至少0.2eV。更进一步地，阻挡层的厚度大于载流子限制层的厚度。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种传输线组件，其包括一导线组以及一电磁波屏蔽件。导线组包括至少一导线以及包覆导线的一绝缘层。电磁波屏蔽件设置在导线组上，且电磁波屏蔽件包括一量子阱结构以及一电子传输结构。量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层阻挡层之间的至少一载流子限制层。电子传输结构，其位于量子阱结构以及导线组之间，其中，电子传输结构的至少一部分具有导电性。本专利技术的其中一有益效果在于，在本专利技术所提供的电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件中，通过“电磁波屏蔽件包括量子阱结构以及电子传输结构，且电子传输结构的至少一部分具有导电性”的技术方案，可吸收高频以及低频的电磁波噪声，以抑制电磁干扰。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1为本专利技术第一实施例的电磁波屏蔽件的示意图。图2为本专利技术第一实施例的量子阱结构的能带结构示意图。图3为本专利技术一实施例的电子传输结构的示意图。图4为本专利技术另一实施例的电子传输结构的示意图。图5为本专利技术又一实施例的电子传输结构的示意图。图6为本专利技术又一实施例的电子传输结构的示意图。图7为本专利技术又一实施例的电子传输结构的示意图。图8为本专利技术第二实施例的电磁波屏蔽件的示意图。图9为本专利技术第一实施例的传输线组件的剖面示意图。图10为本专利技术第二实施例的传输线组件的剖面示意图。图11为本专利技术第三实施例的传输线组件的剖面示意图。具体实施方式以下是通过特定的具体实施例来说明本专利技术所公开有关“电磁波屏蔽件以及应用其的传输线组件”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的优点与效果。本专利技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本专利技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本专利技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本专利技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本专利技术的保护范围。应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。在本专利技术实施例中，是通过使电磁波屏蔽件1至少具有量子阱结构11以及电子传输结构12，来屏蔽低频以及高频电磁干扰。请参照图1。图1显示本专利技术第一实施例的电磁波屏蔽件的示意图。电磁波屏蔽件1包括量子阱结构11以及电子传输结构12，电子传输结构12是位于量子阱结构11的其中一侧。电磁波屏蔽件1具有一第一侧S1以及与第一侧S1相反的一第二侧S2。在本实施例中，电子传输结构12的最外侧为电磁波屏蔽件1的第一侧S1，而量子阱结构11的最外侧为电磁波屏蔽件1的第二侧S2。请配合参照图1以及图2，图2为本专利技术第一实施例的量子阱结构的能带结构示意图。量子阱结构11包括至少两个阻挡层110以及位于两个阻挡层110之间的至少一载流子限制层111。在其他实施例中，量子阱结构11也可以包括多层阻挡层110以及多层载流子限制层111，本专利技术并不限制。请配合参照图2，每一阻挡层110的能隙宽度Eg1会大于每一载流子限制层111的能隙宽度Eg2。换句话说，阻挡层110的材料为宽能隙材料，而载流子限制层111的材料为窄能隙材料。另外，每一阻挡层110的导电带110E，与相邻的载流子限制层111的导电带111E之间形成一能隙差值ΔEc(或称能障)。在一实施例中，每一阻挡层110的导电带110E与每一载流子限制层111的导电带111E之间所形成的能隙差值ΔEc至少0.2eV。如图2所示，两层阻挡层110与夹设于其中的载流子限制层111的能带结构形成一量子阱。进一步而言，阻挡层110本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件包括：/n一量子阱结构，所述量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层所述阻挡层之间的至少一载流子限制层；以及/n一电子传输结构，设置于所述量子阱结构的其中一侧，其中，所述电子传输结构的至少一部分具有导电性。/n

【技术特征摘要】
1.一种电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件包括：
一量子阱结构，所述量子阱结构包括两层阻挡层以及位于两层所述阻挡层之间的至少一载流子限制层；以及
一电子传输结构，设置于所述量子阱结构的其中一侧，其中，所述电子传输结构的至少一部分具有导电性。


2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构包括至少一单一导电层或至少一复合导电层。


3.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构包括一第一层以及位于所述第一层以及所述量子阱结构之间的一第二层，所述第一层为一复合导电层，且包括一第一导电部分以及一第一绝缘部分，所述第一导电部分与所述第一绝缘部分在一水平方向上交错分布。


4.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构包括一第一层以及位于所述第一层以及所述量子阱结构之间的一第二层，所述第二层为一复合导电层，并包括一第二导电部分以及一第二绝缘部分，所述第二导电部分与所述第二绝缘部分在一水平方向上交错分布。


5.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构为一复合导电层，所述复合导电层包括一导电部分以及一绝缘部分，所述导电部分与所述绝缘部分在一水平方向上交错分布。


6.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电子传输结构包括一第一层以及位于所述第一层以及所述量子阱结构之间的一第二层；所述第一层为一复合导电层，且包括一第一导电部分以及一第一绝缘部分，所述第一导电部分与所述第一绝缘部分在一水平方向上交错分布；其中，所述第二层为一另一复合导电层，并包括一第二导电部分以及一第二绝缘部分，所述第二导电部分与所述第二绝缘部分在一水平方向上交错分布；其中，每一所述第一导电部分与每一所述第二导电部分相互错开。


7.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件还进一步包括另一电子传输结构，其中，两个所述电子传输结构分别位于所述量子阱结构的两相反侧。


8.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，每一所述阻挡层的导电带与相邻的所述载流子限制层的导电带之间所形成的能隙差值至少0.2eV。


9.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：方皓苇，钱明谷，吴家钰，
申请(专利权)人：禾达材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71