量子点复合材料及其制备方法、量子点发光二极管技术

本申请涉及显示技术领域领域，提供了一种量子点复合材料、量子点发光二极管。所述量子点复合材料，包括量子点和苝酸酯，所述苝酸酯结合在所述量子点的表面。本申请提供的量子点复合材料，能够有效地提高量子点材料的发光效率，改善量子点材料的发光性能，促进其在QLED领域的应用。领域的应用。领域的应用。

【技术实现步骤摘要】
量子点复合材料及其制备方法、量子点发光二极管


[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种量子点复合材料及其制备方法，以及一种量子点发光二极管。

技术介绍

[0002]LCD显示作为现今主流的显示技术，不仅需要用背光源，而且存在着功耗居高不下，结构工艺复杂，成本高等诸多局限。采用量子点取代传统的荧光粉，极大地提升了显示屏的色域。量子点在背光源模组中的应用表明，采用量子点作为发光材料的显示屏，NTSC色域可从72％NTSC提升至110％。然而，当量子点摆脱背光源技术，利用有源矩阵量子点发光二极管显示器件时，相较于传统的背光源LCD，自发光的QLED在黑色表现、高亮度条件等场景下的显示效果更加突出、功耗更小、可适应的温度范围更宽广，并可以制备NTSC色域高达130％的显示屏。
[0003]量子点具有优异的光学性质，包括全光谱发光峰位连续可调、色纯度高、稳定性好等，是一种优异的发光和光电材料。量子点显示是利用量子点的特殊性能来实现高性能、低成本的显示技术，其色域值可以高达130％NTSC色域左右，超过传统的显示技术色域的覆盖率，展现出极致画质，从而更加自然原色的展现画面。然而，量子点表面包覆着较长的油酸碳链形成势垒阻碍载流子的运动，导致器件中载流子的运输能力低，限制了其在光电子器件上的应用。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种量子点复合材料及其制备方法，以及一种量子点发光二极管，旨在解决现有的量子点发光二极管中，量子点表面的长链油性配体阻碍载流子的运动，导致器件中载流子的运输能力低，影响量子点发光二极管的发光效率的问题。
[0006]为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：
[0007]本申请第一方面提供一种量子点复合材料，包括量子点和苝酸酯，所述苝酸酯结合在所述量子点的表面。
[0008]本申请第二方面提供一种量子点复合材料的制备方法，包括以下步骤：
[0009]获取表面结合有修饰配体的量子点溶液；
[0010]在所述量子点溶液中加入苝酸酯，加热反应，使所述苝酸酯结合到量子点的表面，制得量子点复合材料。
[0011]本申请第三方面提供一种量子点发光二极管，包括量子点发光层；其中，所述量子点发光层的材料为第一方面所述的量子点复合材料或第二方面所述方法制得的量子点复合材料。
[0012]本申请提供的量子点复合材料，量子点的表面结合有苝酸酯。由此得到的复合材料作为量子点发光层材料应用于QLED时，在电场的作用下，量子点发光层中的苝酸酯交替
生成阴、阳离子自由基中间体，当阴、阳离子自由基中间体相互反应时生成激发态的苝酸酯；随后，激发态的苝酸酯跃迁回基态，将能量传递给与该苝酸酯共价键连接的量子点，使得该量子点处于激发状态并发射荧光，有效地提高量子点材料的发光效率。同时，苝酸酯中含有的多种基团，例如苯环、羧基、氨基等基团含有孤对电子，容易形成离域大π键，这有利于电致发光过程中使更多或者更容易让电子传递进入量子点，避免在电致发光通电过程中，由于空穴注入与电子注入不匹配而导致发光降低。综上，本申请提供的量子点复合材料，能够有效地提高量子点材料的发光效率，改善量子点材料的发光性能，促进其在QLED领域的应用。
[0013]本申请提供的量子点复合材料的制备方法，将结合有修饰配体的量子点溶液与苝酸酯反应，得到表面结合由苝酸酯的量子点，由此提高量子点材料的发光效率，改善量子点材料的发光性能，促进其在QLED领域的应用。该方法操作简单，不需要苛刻的条件，且有利于实现规模化生产。
[0014]本申请提供的量子点发光二极管，量子点发光层以表面结合由苝酸酯的量子点作为量子点发光层材料。量子点发光二极管工作时，量子点发光层通过苝酸酯传递能量给与该苝酸酯共价键连接的量子点，使得该量子点处于激发状态并发射荧光，有效地提高量子点材料的发光效率。此外，苝酸酯本身的结构特征，使得其容易形成离域大π键，这有利于电致发光过程中使更多或者更容易让电子传递进入量子点，避免在电致发光通电过程中，由于空穴注入与电子注入不匹配而导致发光降低。综上，本申请提供的量子点发光二极管，改善了器件的发光效率。
附图说明
[0015]图1是本专利技术实施例提供的量子点复合材料的制备工艺流程图；
[0016]图2是本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；
[0017]图3是本专利技术实施例提供的包含衬底和电子传输层的正型结构量子点发光二极管的结构示意图；
[0018]图4是本专利技术实施例提供的包含衬底和电子传输层的反型结构量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
[0019]为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0020]术语“LCD”为“Liquid Crystal Display”的缩写，表示液晶显示器；
[0021]术语“NTSC”为“National Television Standards Committee”的缩写，表示(美国)国家电视标准委员会；
[0022]术语“QLED”为“Quantum Dot Light Emitting Diode”的缩写，表示量子点发光二极管；
[0023]一方面，本申请实施例提供一种量子点复合材料，包括量子点和苝酸酯，所述苝酸酯结合在所述量子点的表面。
[0024]本申请实施例中，量子点是复合材料的主体，当将量子点复合材料用作量子点发光二极管的量子点发光层时，复合材料中的量子点作为发光主体，而苝酸酯用于提高量子点的发光性能，具体的，苝酸酯用于提高量子点的发光效率。
[0025]量子点包括量子点本体，量子点本体的类型没有严格的限定，可以选择用作QLED量子点发光层材料的任意量子点。在一些实施例中，量子点本体选自CdSe、ZnSe、PbSe、CdTe、InP、GaN、GaP、AlP、InN、ZnTe、InAs、GaAs、CaF2、Cd1‑
x
Zn
x
S、Cd1‑
x
Zn
x
Se、CdSeyS1‑
y
、PbSeyS1‑
y
、ZnXCd1‑
X
Te、CdS/ZnS、Cd1‑
x
Zn
x
S/ZnS、Cd1‑
x
Zn
x
Se/ZnSe、CdSe1‑
x
S
x
/CdSe
y
S1‑
y
/CdS、CdSe/Cd1‑
x
Zn
x
Se/CdyZn1‑
y
Se/ZnSe、Cd1‑
x
Zn
x
Se/CdyZn1‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点复合材料，其特征在于，包括量子点和苝酸酯，所述苝酸酯结合在所述量子点的表面。2.如权利要求1所述的量子点复合材料，其特征在于，所述苝酸酯具有下述式1所示结构：式1中，R1、R2、R3和R4各自独立地选自饱和烷烃基团，R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
和R
12
各自独立地选自氢原子、卤素原子、羧基、羟基、氨基中的一种；进一步优选地，所述苝酸酯选自3,4,9,10
‑
苝四羧酸乙酯、3,4,9,10
‑
苝四羧酸辛酯、3,4,9,10
‑
苝四羧酸十六酯、1,7
‑
二溴
‑
3,4,9,10
‑
苝四羧酸乙酯、1
‑
羧基
‑
3,4,9,10
‑
苝四羧酸正戊酯、1
‑
胺基
‑
3,4,9,10
‑
苝四羧酸正己酯和1,7
‑
二羟基
‑
3,4,9,10
‑
苝四羧酸乙酯中的至少一种。3.如权利要求1所述的量子点复合材料，其特征在于，所述量子点与所述苝酸酯的摩尔比为1：(0.1～0.3)。4.如权利要求1至3任一项所述的量子点复合材料，其特征在于，所述量子点的表面含有修饰配体，且所述苝酸酯通过所述修饰配体结合在所述量子点的表面；进一步优选地，所述修饰配体含有第一活性基团和第二活性基团，所述第一活性基团用于与量子点本体结合，所述第二活性基团用于与所述苝酸酯结合；...

【专利技术属性】
技术研发人员：何斯纳，吴龙佳，吴劲衡，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：