实现电容容值计算的电路结构及其方法技术

本发明专利技术涉及一种实现电容容值计算的电路结构，包括检测控制电路模块、充电电阻R1、第一基准电容(C1)、待测电容(C2)、第三基准电容(C3)、第一开关(S1)、第二开关(S2)、第五开关(S5)和第六开关(S6)，检测控制电路模块接在充电电阻(R1)的两端，第一基准电容(C1)、第三开关(S3)和第一开关(S1)均与充电电阻(R1)的一端相连接，第一基准电容(C1)和第三开关(S3)的另一端均接地，充电电阻(R1)的另一端与第二开关(S2)、第五开关(S5)和第六开关(S6)相连接。本发明专利技术还涉及一种实现电容容值计算的方法。采用了本发明专利技术的实现电容容值计算的电路结构及其方法，可以去除电阻带来的误差，减小单个电容检测易受环境因素的影响，可以去除寄生电容对检测的影响，测量更为准确。测量更为准确。测量更为准确。

【技术实现步骤摘要】
实现电容容值计算的电路结构及其方法


[0001]本专利技术涉及MEMS产品领域，尤其涉及MEMS产品的电容检测领域，具体是指一种实现电容容值计算的电路结构及其方法。

技术介绍

[0002]近年在中美贸易对抗的大环境刺激下，市场上涌现出了很多国产MEMS产品，这些产品很多都具有电容特性，通过检测电容的变化来表征环境、产品等的变化。但很多MEMS产品的电容容值较小(几十皮法数量级)，容易受到干扰；线性度、一致性相对较差等。并且无论高档次或低档次的电容式元件，长期稳定性都不理想，多数长期使用漂移严重。比如湿敏电容容值变化为pF级，1％RH的变化不足0.5pF，容值的漂移改变往往引起几十RH％的误差。
[0003]案例1：555测电容的工作图如图1所示，C2是待测电容。其中R4、R2、C2组成充电回路，R2、C2组成放电回路。通过R4、R2充电到0.67VCC，然后通过R2放电到0.33VCC。
[0004]则可以得出t
high
＝C2*(R2+R4)*ln2
……
(1)
[0005]t...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实现电容容值计算的电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括检测控制电路模块、充电电阻(R1)、第一基准电容(C1)、待测电容(C2)、第三基准电容(C3)、第一开关(S1)、第二开关(S2)、第五开关(S5)和第六开关(S6)，所述的检测控制电路模块接在充电电阻(R1)的两端，所述的第一基准电容(C1)、第三开关(S3)和第一开关(S1)均与充电电阻(R1)的一端相连接，所述的第一基准电容(C1)和第三开关(S3)的另一端均接地，所述的充电电阻(R1)的另一端与第二开关(S2)、第五开关(S5)和第六开关(S6)相连接，所述的第五开关(S5)的另一端通过待测电容(C2)接地，所述的第六开关(S6)的另一端通过第三基准电容(C3)接地。2.根据权利要求1所述的实现电容容值计算的电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括第四开关(S4)，一端与第五开关(S5)和第六开关(S6)相连的一端相连接，另一端接地，在达到阈值点的情况下，第一基准电容(C1)、待测电容(C2)和第三基准电容(C3)通过第四开关(S4)放电到地，所述的待测电容(C2)和第三基准电容(C3)通过第四开关(S4)放电，所述的第一基准电容(C1)通过充电电阻(R1)后再通过第四开关(S4)放电。3.根据权利要求1所述的实现电容容值计算的电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括第三开关(S3)，一端与第一基准电容(C1)和充电电阻(R1)相连的一端相连接，另一端接地，在达到阈值点的情况下，第一基准电容(C1)、待测电容(C2)和第三基准电容(C3)通过第三开关(S3)放电到地，所述的第一基...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐飞，陈佳俊，吴君磊，张钧，沈天平，潘敏，
申请(专利权)人：华润微集成电路无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：