一种瞬态响应增强电路制造技术

一种瞬态响应增强电路，包括运放单元、第一拉灌单元、第二拉灌单元，其特征在于：第一拉灌单元与第二拉灌单元两侧并联，一侧与运放单元的正相输入端、参考电压V

【技术实现步骤摘要】
一种瞬态响应增强电路


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种瞬态响应增强电路。

技术介绍

[0002]目前，随着集成电路的广泛应用，LDO(Low Dropout Regulator，低压差线性稳压器)被广泛应用于各类芯片。然而，LDO的电路特性，使得其存在以下问题：当LDO的负载有较大电流变化时，其输出电压容易出现过冲或负冲现象。这将导致连接在LDO下方的运放电路的输入信号发生大幅变化。由于运放电路的特性，使得其输出无法时刻跟随输入的快速变化而变化，因此还会导致放大器产生失调电压V
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。
[0003]现有技术中，可以通过加大电路的静态电流以提高电路的带宽，从而使响应变快，并进一步减小失调电压V
os
的影响。另外，还可以在运放电路前增加SlewBoost电路，通过提高电路工作时的压摆率而提升运放电路的响应能力，如通过提高压摆率，以使电路响应加快，从而减小失调电压V
os
的影响。然而，通过上述两种方法调节LDO输出电压的过冲、负冲现象，以及运放电路的失调电压现象都本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种瞬态响应增强电路，包括运放单元、第一拉灌单元、第二拉灌单元，其特征在于：所述第一拉灌单元与所述第二拉灌单元两侧并联，并且，一侧与所述运放单元的正相输入端、参考电压V
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分别连接，另一侧与所述运放单元的负相输入端及输出端分别连接；当所述运放单元的输出端产生瞬间拉电流时，所述第一拉灌单元导通，所述第二拉灌单元截止，所述第一拉灌单元基于所述输出端的瞬间拉电流生成灌电流，以稳定运放单元的输出端电压；当所述运放单元的输出端产生瞬间灌电流时，所述第一拉灌单元截止，所述第二拉灌单元导通，所述第二拉灌单元基于所述输出端的瞬间灌电流生成拉电流，以稳定运放单元的输出端电压。2.根据权利要求1中所述的一种瞬态响应增强电路，其特征在于：所述第一拉灌单元包括第一PMOS管Mp1，第二PMOS管Mp2，第一NMOS管Mn1，第二NMOS管Mn2；其中，所述第一PMOS管Mp1与第二PMOS管Mp2源极均连接电源电压，所述漏极分别与所述第一NMOS管Mn1、第二NMOS管Mn2的漏极连接，所述第一NMOS管Mn1、第二NMOS管Mn2的源极接地；所述第一PMOS管Mp1的栅极与所述运放单元的输出端连接，所述第二PMOS管Mp2的栅极与所述运放单元正相输入端、参考电压V
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分别连接。3.根据权利要求1中所述的一种瞬态响应增强电路，其特征在于：所述第二拉灌单元包括第三PMOS管Mp3，第四PMOS管Mp4，第三NMOS管Mn3，第四NMOS管Mn4；其中，所述第三PMOS管Mp3与第四PMOS管Mp4源极均连接电源电压，所述漏极分别与所述第三NMOS管Mn3、第四NMOS管Mn...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宇，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：