【技术实现步骤摘要】
一种用于偏置双极型晶体管的电流源电路
[0001]本专利技术涉及电流源集成电路领域，更具体地，涉及一种用于偏置双极型晶体管的电流源电路。
技术介绍
[0002]目前，通常采用电流源与镜像场效应管电路相连接的方式生成镜像电流，作为偏置双极型晶体管的输入电流。然而，利用这种方式构造的电流源会产生如下问题：(1)由于晶体管的电流放大倍数β对温度比较敏感，会随着温度发生较大的变化。如果偏置双极型晶体管的电流源在温度变化的时候保持不变，或者不能够很好跟随双极型晶体管的电流放大倍数β的变化，就会使得被偏置的双极型晶体管的集电极电流的温度变化较不稳定，进而影响器件的跨导，即转移电阻，并影响电路的稳定。(2)由于不同晶体管的电流放大倍数β难以完全相同，这使得不同芯片的电流放大倍数β会产生一定差异，进而导致不同芯片之间的性能难以保持一致性。
[0003]因此，亟需一种能够克服晶体管中电流放大倍数β对电路造成影响的新的电流源电路。
技术实现思路
[0004]为解决现有技术中存在的不足，本专利技术的目的在于，提供一种用于偏...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于偏置双极型晶体管的电流源电路，包括输入电流单元和镜像电流单元，其特征在于：所述输入电流单元，包括第一电流源、调节场效应管和第一偏置晶体管，用于基于第一电流源生成温敏输入电流；所述镜像电流单元，包括第一镜像场效应管、第二镜像场效应管、第二电流源和第二偏置晶体管，用于基于所述温敏输入电流生成镜像输出电流。2.根据权利要求1中所述的一种用于偏置双极型晶体管的电流源电路，其特征在于：所述输入电流单元中，所述第一电流源一端接高电压，一端与调节场效应管的源极相连接；所述调节场效应管的漏极与所述第二电流源、第一镜像场效应管和第二镜像场效应管的栅极相连接，所述调节场效应管的栅极接入偏置电压；所述第一偏置晶体管的基极与第二偏置晶体管的基极相连接并接输入电压，集电极与调节场效应管的源极相连接，发射极与第一镜像场效应管的漏极相连接。3.根据权利要求1中所述的一种用于双极型晶体管的电流源电路，其特征在于：所述镜像电流单元中，所述第一镜像场效应管和第二镜像场效应管栅极分别与第二电流源一端相连接，源极分别于第二电流源另一端相连接并接地，第一镜像场效应管的漏极与第一偏置晶体管的发射极相连，第二镜像场效应管的漏极与第二偏置晶体管的发射极相连，所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：周健，张利地，张海冰，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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