一种电压控制电路及电子设备制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种电压控制电路及电子设备，所述电压控制电路包括：保护单元、电压钳位单元和稳压单元；保护单元的第一端和第二端用于接入初始电压，保护单元的第三端与所述电压钳位单元电连接，保护单元的第四端与稳压单元的一端电连接，稳压单元的另一端与电压钳位单元电连接，其中，保护单元的第三端的电压和第四端的电压相等；电压钳位单元用于通过保护单元获取所述初始电压，并对初始电压进行钳位处理，以得到中间钳位电压；稳压单元用于调节中间钳位电压以得到目标电压，保护单元的第四端用于输出所述目标电压。本发明专利技术通过电压钳位单元和稳压单元的设置，有效提高了输出电压的精度和稳定度，并减少了对于特殊工艺的依赖。赖。赖。

【技术实现步骤摘要】
一种电压控制电路及电子设备


[0001]本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种电压控制电路及电子设备。

技术介绍

[0002]在芯片电源管理部分的电路中，常出现输入芯片内部电路模块的器件极限工作电压较高的情况，这时一般需要采用一个DC
‑
DC降压电路或者预稳压电路来将电源电压降低到芯片内部器件能承受的工作电压。
[0003]采用DC
‑
DC降压电路的相关电路设计比较复杂，而简单的预稳压电路则一般需要相关工艺具有齐纳二极管或者JFET器件才能实现。这两种情况都会增大芯片的芯片面积，从而增大了芯片的制造成本。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种电压控制电路及电子设备，具体方案如下：第一方面，本申请实施例提供了一种电压控制电路，所述电压控制电路包括：保护单元、电压钳位单元和稳压单元；所述保护单元的第一端和第二端用于接入初始电压，所述保护单元的第三端与所述电压钳位单元电连接，所述保护单元的第四端与所述稳压单元的一端电连接，所述稳压单元的另一端与所述电压钳位单元电连接，其中，所述保护单元的第三端的电压和第四端的电压相等；所述电压钳位单元用于通过所述保护单元获取所述初始电压，并对所述初始电压进行钳位处理，以得到中间钳位电压；所述稳压单元用于调节所述中间钳位电压以得到目标电压，所述保护单元的第四端用于输出所述目标电压。
[0005]根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述保护单元包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管连接组成电流镜；所述第一MOS管的第一电极与所述第二MOS管的第一电极电连接；所述第一MOS管的所述第一电极和第二电极均用于通过第一电阻接入所述初始电压，所述第一MOS管的第三电极用于输出所述目标电压；所述第二MOS管的第三电极与所述电压钳位单元电连接。
[0006]根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述第一MOS管和所述第二MOS管均为LDMOS管。
[0007]根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述电压钳位单元包括电流镜支路、预设数量的钳位晶体管以及预设数量的二极管；所述电流镜支路的第一连接端通过预设数量的钳位晶体管与所述电流镜支路的第二连接端电连接；
所述电流镜支路的第三连接端和第四连接端均通过预设数量的二极管接地。
[0008]根据本申请实施例的一种具体实施方式，预设数量的所述钳位晶体管包括第一数量的P型MOS管和第二数量的N型MOS管，其中；所述电流镜支路的第一连接端通过所述第一数量的P型MOS管与所述保护单元的第四端电连接，所述电流镜支路的第二连接端通过所述第二数量的N型MOS管和所述保护单元的第四端电连接。
[0009]根据本申请实施例的一种具体实施方式，各钳位晶体管的第一电极和第二电极之间短接。
[0010]根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述电流镜支路包括第三MOS管和第四MOS管；所述第三MOS管的第一电极与所述第四MOS管的第一电极电连接；所述第三MOS管的第二电极通过预设数量的钳位晶体管与所述第四MOS管的第二电极电连接；所述第三MOS管的所述第一电极和所述第四MOS管的所述第一电极均与所述第四MOS管的第二电极电连接；所述第三MOS管的第三电极和所述第四MOS管的第三电极均通过预设数量的二极管接地。
[0011]根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述稳压单元包括带隙基准源、运算放大器和反馈采样支路；所述带隙基准源的输入端用于接入所述中间钳位电压，所述带隙基准源的输出端与所述运算放大器的正相输入端和偏置端电连接；所述运算放大器的反相输入端与所述反馈采样支路电连接；所述运算放大器的输出端与所述电压钳位单元电连接。
[0012]根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述反馈采样支路包括第二电阻和第三电阻；所述第二电阻的一端用于接入所述中间钳位电压，所述第二电阻的另一端与所述运算放大器的反相输入端电连接；所述第三电阻的一端与所述运算放大器的反相输入端电连接，所述第三电阻的另一端接地。
[0013]第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括前述第一方面及第一方面任一实施方式的电压控制电路。
[0014]本申请实施例提供了一种电压控制电路及电子设备，所述电压控制电路包括：保护单元、电压钳位单元和稳压单元；所述保护单元的第一端和第二端用于接入初始电压，所述保护单元的第三端与所述电压钳位单元电连接，所述保护单元的第四端与所述稳压单元的一端电连接，所述稳压单元的另一端与所述电压钳位单元电连接，其中，所述保护单元的第三端的电压和第四端的电压相等；所述电压钳位单元用于通过所述保护单元获取所述初始电压，并对所述初始电压进行钳位处理，以得到中间钳位电压；所述稳压单元用于调节所述中间钳位电压以得到目标电压，所述保护单元的第四端用于输出所述目标电压。本专利技术通过电压钳位单元和稳压单元的设置，有效提高了输出电压的精度和稳定度，并减少了对
于特殊工艺的依赖。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对本专利技术保护范围的限定。在各个附图中，类似的构成部分采用类似的编号。
[0016]图1示出了本申请实施例提供的一种电压控制电路的电路模块示意图；图2示出了本申请实施例提供的一种电压控制电路的电路连接结构示意图；图3示出了本申请实施例提供的一种电压控制电路的另一电路连接结构示意图。
[0017]附图标记汇总：电压控制电路
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100；保护单元
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110；电压钳位单元
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120；稳压单元
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130；供电电源
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200；负载器件
‑
300。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0019]通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0020]在下文中，可在本专利技术的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
[0021]此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压控制电路，其特征在于，所述电压控制电路包括：保护单元、电压钳位单元和稳压单元；所述保护单元的第一端和第二端用于接入初始电压，所述保护单元的第三端与所述电压钳位单元电连接，所述保护单元的第四端与所述稳压单元的一端电连接，所述稳压单元的另一端与所述电压钳位单元电连接，其中，所述保护单元的第三端的电压和第四端的电压相等；所述电压钳位单元用于通过所述保护单元获取所述初始电压，并对所述初始电压进行钳位处理，以得到中间钳位电压；所述稳压单元用于调节所述中间钳位电压以得到目标电压，所述保护单元的第四端用于输出所述目标电压。2.根据权利要求1所述的电压控制电路，其特征在于，所述保护单元包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管连接组成电流镜；所述第一MOS管的第一电极与所述第二MOS管的第一电极电连接；所述第一MOS管的所述第一电极和第二电极均用于通过第一电阻接入所述初始电压，所述第一MOS管的第三电极用于输出所述目标电压；所述第二MOS管的第三电极与所述电压钳位单元电连接。3.根据权利要求2所述的电压控制电路，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管均为LDMOS管。4.根据权利要求1所述的电压控制电路，其特征在于，所述电压钳位单元包括电流镜支路、预设数量的钳位晶体管以及预设数量的二极管；所述电流镜支路的第一连接端通过预设数量的钳位晶体管与所述电流镜支路的第二连接端电连接；所述电流镜支路的第三连接端和第四连接端均通过预设数量的二极管接地。5.根据权利要求4所述的电压控制电路，其特征在于，预设数量的所述钳位晶体管包括第一数量的P型MOS管和第二数量的N型MOS管，其中；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁乐，张孟文，陈泰东，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：