增强近红外量子效率的图像传感器结构和形成方法技术

本发明专利技术提供一种增强近红外量子效率的图像传感器结构和形成方法，通过在背照式CMOS图像传感器的光电二极管下方设置包括光反射层和光增强层的光增强结构，光反射结构实现了对近红外入射光的反射和收集，保证了近红外光在硅衬底里吸收比例的大幅上升，从而提高了背照式像素单元的近红外量子效率。式像素单元的近红外量子效率。式像素单元的近红外量子效率。

【技术实现步骤摘要】
增强近红外量子效率的图像传感器结构和形成方法


[0001]本专利技术涉及图像传感器
，更具体地，涉及一种增强近红外量子效率的图像传感器结构和形成方法。

技术介绍

[0002]图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，通常大规模商用的图像传感器芯片包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器芯片两大类。
[0003]CMOS图像传感器和传统的CCD传感器相比，具有低功耗，低成本和与CMOS工艺兼容等特点，因此得到越来越广泛的应用。现在CMOS图像传感器不仅用于消费电子领域，例如微型数码相机(DSC)，手机摄像头，摄像机和数码单反(DSLR)中，而且在汽车电子，监控，生物技术和医学等领域也得到了广泛的应用。
[0004]CMOS图像传感器的像素单元是图像传感器实现感光的核心器件。最常用的像素单元为包含一个光电二极管和多个晶体管的有源像素结构。这些器件中光电二极管是感光单元，实现对光线的收集和光电转换，其它的MOS晶体管是控制单元，主要实现对光电二极管的选中，复位，信号放大和读出的控制。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增强近红外量子效率的图像传感器结构，其特征在于，包括：衬底；光电二极管，设于正面的所述衬底内；层间介质结构，覆盖所述衬底正面的表面；光增强结构，设于所述层间介质结构内，包括光反射层和光增强层；其中，所述光反射层对应覆盖所述光电二极管，所述光增强层设于所述光反射层与所述光电二极管之间。2.根据权利要求1所述的增强近红外量子效率的图像传感器结构，其特征在于，所述光增强层的折射率小于所述衬底的折射率。3.根据权利要求1所述的增强近红外量子效率的图像传感器结构，其特征在于，所述光增强层包括若干光增强块，所述光增强块的形状包括椭圆体、圆柱体、圆锥体、多边形柱体中的一种或多种组合。4.根据权利要求3所述的增强近红外量子效率的图像传感器结构，其特征在于，所述光增强块在所述层间介质结构内呈周期性分布，且在垂直于所述光电二极管表面方向设置。5.根据权利要求1所述的增强近红外量子效率的图像传感器结构，其特征在于，还包括：设于所述层间介质结构内的金属互连层，所述光反射层与所述金属互连层的第一层同层设置。6.根据权利要求5所述的增强近红外量子效率的图像传感器结构，其特征在于，还包括：设于所述衬底中并用于隔离所述光电二极管的浅槽隔离；设于所述衬底背面上并位于像素之间的金属挡光层；设于所述衬底背面表面和金属挡光层之间的抗反射层。7.一种增强近红外量子效率的图像传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：奚鹏程，顾学强，王玮，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：