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本发明提供一种增强近红外量子效率的图像传感器结构和形成方法，通过在背照式CMOS图像传感器的光电二极管下方设置包括光反射层和光增强层的光增强结构，光反射结构实现了对近红外入射光的反射和收集，保证了近红外光在硅衬底里吸收比例的大幅上升，从而提...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司成都微光集电科技有限公司授权不得商用。