像素结构及共享像素布局结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种像素结构及共享像素布局结构，像素结构包括：衬底；光电转换区，位于衬底中；电荷收集区，布置于衬底中；第一导流结构，自衬底的第一面朝第二面延伸至衬底内部，电荷收集区及光电转换区设置于第一导流结构的同侧；第二导流结构，设置于衬底的第一面，与第一导流结构连接且延伸至电荷收集区；电隔离层，设置于第一导流结构、第二导流结构与衬底之间的界面；导流辅助层，至少设置于所述光电转换区与所述第一导流结构之间，其电势自衬底的第一面朝第二面的方向变小。本实用新型专利技术可使光电转换区获得更高的满阱容量同时可以更好的兼容紧凑的共享像素布局结构。好的兼容紧凑的共享像素布局结构。好的兼容紧凑的共享像素布局结构。

Pixel structure and shared pixel layout structure

【技术实现步骤摘要】
像素结构及共享像素布局结构


[0001]本技术属于图像传感领域，特别是涉及一种像素结构及共享像素布局结构。

技术介绍

[0002]图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可分为CCD(电荷耦合元件)和CMOS(金属氧化物半导体元件)两大类。随着CMOS集成电路制造工艺特别是CMOS图像传感器设计及制造工艺的不断发展，CMOS图像传感器已经逐渐取代CCD图像传感器成为主流。CMOS图像传感器相比较具有工业集成度更高、功率更低等优点。
[0003]根据实际应用的需求，图像传感器需要高满阱容量的光电转换区，然而，受限于像素大小以及传输，传统平面结构的CMOS图像传感器的满阱容量等难以有效提高。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种像素结构及共享像素布局结构，用于解决现有技术中CMOS图像传感器满阱容量受限于像素大小以及传输而难以提高的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种像素结构，所述像素结构包括：衬底，包含相对的第一面和第二面；光电转换本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：衬底，包含相对的第一面和第二面；光电转换区，位于所述衬底中；电荷收集区，设置于所述衬底中；第一导流结构，自所述衬底的第一面朝所述第二面延伸至所述衬底内部，所述电荷收集区及所述光电转换区设置于所述第一导流结构的同侧；第二导流结构，设置于所述衬底的第一面，所述第二导流结构与所述第一导流结构连接且延伸至所述电荷收集区；电隔离层，设置于所述第一导流结构和所述衬底之间的界面和所述第二导流结构与所述衬底之间的界面；导流辅助层，至少设置于所述光电转换区与所述第一导流结构之间，所述导流辅助层的电势自所述衬底的所述第一面朝所述第二面的方向变小。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述导流辅助层还包括横向延伸至所述第二导流结构下方的横向导流辅助层，所述横向导流辅助层的电势自所述第一导流结构朝所述电荷收集区的方向上变大。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述电荷收集区及所述第一导流结构设置于所述光电转换区边缘上任意两点连线中最长的一条。4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：还包括隔离区，所述隔离区自所述衬底的第一面朝所述第二面延伸至所述衬底内部，所述隔离区设置于所述光电转换区的外围，且所述第一导流结构设置于所述隔离区内。5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于：所述导流辅助层设置于所述隔离区中。6.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于：所述电荷收集区布置于所述光电转换区的第一角部外围，所述第一导流结构设置于所述光电转换区的第二角部外围的所述隔离区内，所述第一角部与所述第二角部设置于所述光电转换区的同一对角线上。7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于：所述隔离区为离子注入隔离区，所述离子注入隔离区与所述光电转换区具有相反的电性掺杂。8.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于：所述光电转换区包括上部转换区和下部转换区，所述上部转换区被所述隔离区包围，所述下部转换区的宽度大于所述上部转换区的宽度且所述下部转换区的外边缘横向超出所述隔离区的内边缘，所述下部转化区周侧还形成有背面深沟槽隔离结构。9.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于：所述上部转换区包括上下堆叠的第一转换分部和第二转换分部，所述第二转换分部的宽度大于所述第一转换分部的宽度，所述隔离区包括设置于所述第一转换分部外围的第一隔离部以及设置于所述第二转换分部外围的第二隔离部，所述第一隔离部的宽度大于所述第二隔离部的宽度，所述第二转换分部的外边缘横向超出所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王倩，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：