反熔丝存储单元及其数据写入方法和读取方法、电子设备技术

本公开提供了反熔丝存储单元及其数据写入方法和读取方法、电子设备。该反熔丝存储单元可包括半导体基底、栅氧化层、第一位线、第二位线及字线。半导体基底上形成有晶体管，一个反熔丝存储单元具有一个晶体管，晶体管包括栅极、源极及漏极。栅氧化层设置于半导体基底与栅极之间。第一位线与源极连接，第二位线与漏极连接，这两条位线可分别用于数据写入和数据读取。字线与栅极连接。本公开可在一个反熔丝存储单元上使用两根位线，以使采用本公开技术方案的半导体器件具有更高的良率和可信赖度。本公开可以明显降低反熔丝存储单元的加工难度，并能够进一步缩小反熔丝存储单元的尺寸，具有非常广阔的市场前景。具有非常广阔的市场前景。具有非常广阔的市场前景。

【技术实现步骤摘要】
反熔丝存储单元及其数据写入方法和读取方法、电子设备


[0001]本公开涉及半导体存储器
，更为具体来说，本公开能够提供 反熔丝存储单元及其数据写入方法和读取方法、电子设备。

技术介绍

[0002]目前，反熔丝(Anti
‑
Fuse)存储器作为一种辅助存储器。反熔丝存储 器一般可用来存储半导体器件序列号、裸片序列号、器件配置参数、密钥 或者启动程序等数据，具有可编程、功耗低以及安全性高等优点。
[0003]反熔丝存储器的最小单元一般由一个编程晶体管和一个选择晶体管 组成。选择晶体管具有开关功能，用于根据被施加的电压打开或关闭，以 控制是否进行数据存储。编程晶体管具有数据存储功能，存储“1”或“0”。 可见常用的反熔丝存储单元需要两个晶体管，占据半导体器件的空间相对 较大。随着半导体技术的不断发展，半导体器件的集成度越来越高。这就 要求反熔丝存储器尺寸减小且存储容量增加，传统的反熔丝存储单元已经 无法满足半导体器件的实际需求，亟需得到改进。

技术实现思路

[0004]为解决传统反熔丝存储单元存在的尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反熔丝存储单元，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底上形成有晶体管，所述晶体管包括栅极、源极及漏极；栅氧化层，设置于所述半导体基底与所述栅极之间；第一位线，与所述源极连接；第二位线，与所述漏极连接；字线，与所述栅极连接。2.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述第一位线为写入位线以及用于将数据写入反熔丝存储单元，所述第二位线为读取位线以及用于从反熔丝存储单元中读出数据；或者，所述第一位线为读取位线以及用于从反熔丝存储单元中读出数据，所述第二位线为写入位线以及用于将数据写入反熔丝存储单元。3.根据权利要求1或2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述栅氧化层，厚度为一个固定值。4.根据权利要求1或2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，还包括：第一接触部，形成于所述源极上；所述第一位线形成于所述第一接触部上；第二接触部，形成于所述漏极上；所述第二位线形成于所述第二接触部上。5.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1
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4中任一权利要求所述的反熔丝存储单元。6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。7.一种反熔丝存储单元的数据写入方法，其特征在于，包括：提供权利要求2
‑
4中任一权利要求所述的反熔丝存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相惇，申靖浩，赵劼，杨涛，张欣，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：