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本公开提供了反熔丝存储单元及其数据写入方法和读取方法、电子设备。该反熔丝存储单元可包括半导体基底、栅氧化层、第一位线、第二位线及字线。半导体基底上形成有晶体管，一个反熔丝存储单元具有一个晶体管，晶体管包括栅极、源极及漏极。栅氧化层设置于半导...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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