一种反熔丝存储单元及其写入方法和读取方法、电子设备技术

本公开提供了一种反熔丝存储单元及其写入方法和读取方法、电子设备。其中，该反熔丝存储单元包括半导体基底、栅氧化层、字线和位线等。半导体基底上形成有晶体管，本公开一个反熔丝存储单元只包含一个晶体管。晶体管包括栅极、源极和漏极。栅氧化层处于半导体基底与栅极之间，栅氧化层的厚度为一个固定值，即整个栅氧化层的厚度不随位置的变化而变化。字线与栅极连接，位线与源极和漏极连接。本公开的反熔丝最小存储单元只需使用一个晶体管，占据的空间更小。因此，本公开提供的技术方案有助于半导体器件的集成化和小尺寸要求，提高了数据存储密度，具有非常广阔的市场前景。本公开能够明显降低加工难度和成本，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种反熔丝存储单元及其写入方法和读取方法、电子设备


[0001]本公开涉及半导体存储器
，更为具体来说，本公开能够提供一种反熔丝存储单元及其写入方法和读取方法、电子设备。

技术介绍

[0002]反熔丝(Anti
‑
fuse)存储器是常用的一次性可编程存储器(OTP，One Time Programable)，一般作为主要功能电路的附属电路使用。反熔丝存储器具有可编程、功耗低及安全性高等优点。
[0003]反熔丝存储器的最小单元一般由一个编程晶体管和一个选择晶体管组成。选择晶体管具有开关功能，用于根据被施加的电压打开或关闭，以控制是否进行数据存储。编程晶体管具有数据存储功能，存储“1”或“0”。可见常规的反熔丝存储单元需要两个晶体管，占据半导体器件的空间相对较大。然而随着半导体器件的集成度越来越高，要求器件尺寸越来越小，常规的具有双晶体管结构的反熔丝存储单元已无法满足实际需要。

技术实现思路

[0004]为解决常规反熔丝存储单元存在的尺寸较大、无法满足半导体器件的高集成度要求等问题，本公开提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反熔丝存储单元，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底上形成有晶体管，所述晶体管包括栅极、源极及漏极；栅氧化层，设置于所述半导体基底与所述栅极之间，栅氧化层的厚度为一个固定值；字线，与所述栅极连接；位线，与所述源极和/或所述漏极连接。2.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述晶体管为耗尽型晶体管。3.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，还包括：接触部，所述接触部形成于所述源极和所述漏极上，所述位线与所述接触部连接。4.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，还包括：灵敏放大器，与所述位线连接。5.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1～4中任一权利要求所述的反熔丝存储单元。6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。7.一种反熔丝存储单元的写入方法，其特征在于，包括：提供权利要求1～4中任一权利要求所述的反熔丝存储单元；向字线施加第一预设电压，并向所述位线施加第二预设电压；其中，所述第一预设电压与所述第二预设电压的差值大于第一阈值，以击穿所述栅氧化层，向所述反熔丝存储单元中写入“1”；或者，向字线施加第三预设电压，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相惇，安佑松，申靖浩，赵劼，杨涛，张欣，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：