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本公开提供了一种反熔丝存储单元及其写入方法和读取方法、电子设备。其中，该反熔丝存储单元包括半导体基底、栅氧化层、字线和位线等。半导体基底上形成有晶体管，本公开一个反熔丝存储单元只包含一个晶体管。晶体管包括栅极、源极和漏极。栅氧化层处于半导体...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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