一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池技术

本发明专利技术提供了一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在硅块体的表层下方设置缺陷层，此时，可以对表层进行加热，使得缺陷层一侧的表层获得热膨胀应力，缺陷层另一侧的硅块体产生应力梯度，相比于未施加热膨胀应力时，表层与硅块体更易于从缺陷层的位置分离，从而降低了对缺陷层缺陷密度的要求，提高了缺陷层的设置速率以及表层的晶体质量；同时向表层施加的热膨胀应力，也可以在剥离表层的过程中降低对表层的边缘施加应力的要求，从而避免造成超薄硅片的损伤，提升切片得到的超薄硅片的质量，因此，本发明专利技术实施例提供的超薄硅片的切片方法生产速率高、重复性好、产品良率高，能够获得高质量的超薄硅片。量的超薄硅片。量的超薄硅片。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池。

技术介绍

[0002]在晶体硅太阳能电池的制备中，在保证高转换效率的同时，降低硅片的厚度可以有效降低光伏生产成本、组件成本与平准化度电成本(Levelized Cost of Energy，LCOE)。
[0003]超薄硅片指厚度为100μm以下的硅片，主要采用金刚线切片的工艺进行硅片切割，受到金刚线直径与工艺方法的限制，获得厚度为100μm以下的硅片难度较大，厚度为50μm以下的硅片更难以制备；或者，也可以在硅块的表面以下设置缺陷层，如在硅块的表面以下进行氢离子注入、激光非线性吸收等，再将缺陷层以上到硅块表面的表层部分剥离，将分离得到的表层作为超薄硅片。
[0004]但是，该方法对缺陷层的缺陷密度的需求较高，使得缺陷层设置速率慢、扩散距离长影响表层质量，难以有效的进行表层剥离；或者，也可以在硅块的表面设置应力层，应力层可以向硅块的表面提供较大的热应力，从而将硅块的表层剥离，但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超薄硅片的切片方法，其特征在于，所述方法包括：在硅块体的表层下方设置缺陷层；对所述表层进行电磁感应加热并控制加热的穿透深度δ不超过所述缺陷层的深度，电磁感应加热的同时或之后在边缘处形成所述硅块体和所述外延层的初始分离界面；从所述初始分离界面开始，逐渐从所述硅块体上剥离所述表层，得到超薄硅片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述表层进行电磁感应加热的步骤，包括：通过预设频率的电磁波对所述表层进行电磁感应加热，所述预设频率为单一频率或可调频率；所述单一频率为100MHz以上；所述可调频率采用以下方式设置：采用100GHz以上的电磁波从室温加热至预设温度；从预设温度开始采用100MHz～100GHz的电磁波进行加热，所述预设温度范围为100℃～300℃。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述单一频率为1GHz以上。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅块体的表层下方设置缺陷层之后，还包括：在所述表层的表面设置支撑结构。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兆，徐琛，李子峰，靳金玲，解俊杰，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：