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本发明提供了一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在硅块体的表层下方设置缺陷层，此时，可以对表层进行加热，使得缺陷层一侧的表层获得热膨胀应力，缺陷层另一侧的硅块体产生应力梯度，相比于未施加热膨胀应力时...
该专利属于隆基绿能科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过隆基绿能科技股份有限公司授权不得商用。

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