在半桥组态中减少MOSFET体二极管传导的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术描述了配置于半桥组态的第一（Ｍ１）和第二（Ｍ２）转换开关操作的方法和装置。控制第一和第二栅极电压之一使得相应的第一和第二转换开关之一作为恒定电流源操作。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率开关器件。更准确的说，本专利技术提供在半桥组态中高端与低端器件之间转换的改进技术。传统的集成电路半桥驱动器，典型地使用非重叠功率MOSFET栅控制信号，以保证当高端和低端功率MOSFET都处在高阻抗状态时最小的时间间隔。这个间隔一般称为“停滞时间”。停滞时间间隔仅仅发生在从一个开关器件至另一个开关器件电流换向之前，必需保证没有同时传导电流通过这两个转换开关器件，即没有贯穿电流。停滞时间间隔常常必须大于期望值，以确保在IC操作温度和过程变化范围内维持最小的停滞时间。在停滞时间期间，当两个功率开关器件都是高阻抗时，感性负载的任何输出电流，均被强制地流过或者高端或者低端开关器件的寄生体二极管。当半桥驱动器和功率MOSFET共享同一硅衬底时，流过功率MOSFET体二极管的电流可激活IC衬底上另外的寄生晶体管。激活的这些寄生晶体管能够成为不希望的功率耗散源，以及干扰半桥控制电路的正常操作。而且，激活的这些寄生晶体管，甚至能经由众所周知的称为锁定的机制毁坏IC。这个问题一般的解决办法是增设外肖特基二极管与功率MOSFET体二极管并联。外肖特基二极管具有较低的正向电压，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于操作配置于半桥组态中第一和第二转换开关的方法，第一和第二转换开关分别具有第一和第二栅极，包括：分别控制第一和第二栅极上的第一和第二栅极电压，使第一转换开关开启，第二转换开关闭合；控制第一和第二栅极电压中之一使对应的第一和第二 转换开关中之一作为恒定电流源工作；第一和第二转换开关中之一作为恒定电流源工作之后，控制第二栅极电压使第二转换开关开启；和控制第一栅极电压使第一转换开关闭合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文K伯格，卡里L德莱诺，
申请(专利权)人：特里帕斯科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]