一种含三嗪类结构的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种含三嗪结构的化合物及其应用，属于半导体技术领域，本发明专利技术提供化合物的结构如通式(1)所示；本发明专利技术化合物应用于OLED器件后，器件的电压和效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显，在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。化前景。化前景。

【技术实现步骤摘要】
一种含三嗪类结构的化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种含有三嗪化合物及其应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的包括发光层的有机功能层，其中有机功能层是在阴极和阳极之间各层的总称。此外，在阳极和发光层之间可以存在空穴传输区域，并且在发光层和阴极之间可以存在电子传输区域。来自阳极的空穴可以通过空穴传输区域向发光层迁移，来自阴极的电子可以通过电子传输区域向发光层迁移。载流子(例如，空穴和电子)在发光层中复合并产生激子。根据量子力学原理，有机金属化合物材料作为掺杂材料可以实现100％的内量子产率。
[0003]尽管如此，对于三线态发光的磷光OLED，在器件电压、电流效率以及寿命方面仍然有改进的需求。尤其是对发光层中的主体和掺杂材料提出了更高的要求。其中，主体材料的性能通常会较大程度地影响有机电致发光器件的上述关键性能。
[0004]根据现有技术，咔唑类衍生物通常用作磷光掺杂的空穴型主体材料，三嗪类衍生物通常用作磷光掺杂的电子型主体材料。电子型主体材料的性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含三嗪类结构的化合物，其特征在于，所述化合物结构如通式(1)所示：通式(1)中，Ra表示为通式(2)或通式(3)所示结构：Ra通过C
L1
‑
C
L2
键或者C
L3
‑
C
L4
‑
C
L5
键与通式(1)中相邻的*标位点并环相连；R3、R4分别独立的表示为通式(4)
‑
通式(8)所示结构中的任一种；且R3与R4不同时表示为通式(8)所示结构；通式(1)
‑
(4)、通式(7)中，Z1、Z2分别独立地表示C
‑
R
10
，R
10
每次出现分别独立地表示为氢、氘、氚或苯基；通式(1)、通式(2)中，
“‑‑‑‑‑”
表示通过单键连接或不连接，且通式(1)中，至少有两个
“‑‑‑‑‑”
表示为通过单键连接；Y1‑
Y8分别独立地表示为C
‑
R
11
，R
11
每次出现时分别独立地表示为氢、氘、氚或苯基；当
“‑‑‑‑‑”
表示通过单键连接时，连接处的Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7或Y8表示为C；通式(1)中，与Z1、Y1‑
Y6中任意位置连接时，连接处的Z1、Y1‑
Y6处表示为C；所述R5表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种；
所述L3表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚二联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚萘啶...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡啸，殷梦轩，李崇，张兆超，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：