用于对三维特征进行成像的方法和系统技术方案

用于对三维特征进行成像的方法和系统。用于基于在不同样品深度处的多个基准来铣削样品和对样品进行成像的方法和系统包括：在第一样品深度处的第一样品表面上形成第一基准；铣削所述样品表面的至少一部分以在第二样品深度处暴露第二样品表面；在所述第二样品表面上形成第二基准；以及铣削所述第二样品表面的至少一部分以在第三样品深度处暴露包括所关注区域（ROI）的第三样品表面。可基于所述ROI和所述第二基准的图像以及所述第一基准与所述第二基准之间的相对位置来计算在所述第三样品深度处的所述ROI相对于所述第一基准的位置。深度处的所述ROI相对于所述第一基准的位置。深度处的所述ROI相对于所述第一基准的位置。

【技术实现步骤摘要】
用于对三维特征进行成像的方法和系统


[0001]本专利技术描述大体上涉及用于对样品内的三维特征进行成像的方法和系统，且更具体地说，涉及使用带电粒子显微系统来生成三维特征轮廓。

技术介绍

[0002]带电粒子显微系统可用于检测显微制造装置。包括聚焦离子束（FIB）和电子束的双束（dual beam）系统可分析在显微制造期间的瑕疵和故障以对显微制造过程进行故障寻找、调整和改进。举例来说，双束系统可用于通过切片视图（slice
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and
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view）工艺来重构样品内的三维特征，其中使用FIB从样品去除材料层以暴露多个样品表面，并且使用扫描电子显微术（SEM）来获得经暴露样品表面的图像。然而，归因于包括样品移位和束漂移的因素的SEM图像中的特征的位移可影响重构的准确度。
[0003]一种基于切片视图数据来确定样品内的特征的位置的方法展示在Chitturi等人的美国专利U.S.7348556B2中，其中在紧挨着所关注特征的样品表面处创建参考标记（称为基准）。在切片视图工艺期间获取的每一SEM图像包括经暴露样品表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于对样品进行成像的方法，其包括：将第一基准定位在第一样品深度处的第一样品表面上；去除所述第一样品表面的至少一部分以暴露第二样品表面；在所述第二样品表面上形成第二基准；去除所述第二样品表面的至少一部分以在第三样品深度处暴露包括所关注区域（ROI）的第三样品表面；获取包括所述第二基准和在所述第三样品深度处的所述ROI的第一样品图像；以及基于所述第一基准相对于所述第二基准的第一位置、和在所述第一样品图像中在所述第三样品深度处的所述ROI相对于所述第二基准的第二位置，来确定在所述第三样品深度处的所述ROI相对于所述第一基准的位置。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：获取包括所述第一基准和所述第二基准的第二样品图像；以及基于所述第二样品图像来确定所述第一基准相对于所述第二基准的所述第一位置。3.根据权利要求2所述的方法，其中用在第一焦深处的带电粒子束获取所述第一样品图像，并且用在更低的第二焦深处的所述带电粒子束获取所述第二样品图像。4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：用在所述第二焦深处的所述带电粒子束在所述第一样品深度与第二样品深度之间的第四样品深度处获取第三样品图像，其中所述第三样品图像包括在所述第四样品深度处的所述ROI以及所述第一基准；基于所述第三样品图像来确定在所述第四样品深度处的所述ROI相对于所述第一基准的位置；以及通过基于在所述第三样品深度处的所述ROI相对于所述第一基准的位置、和在所述第四样品深度处的所述ROI相对于所述第一基准的位置将在所述第一样品深度和所述第三样品深度处的所述ROI对准，从而根据所述第一样品图像和所述第三样品图像重构所述ROI。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中用第一带电粒子束去除所述第一样品表面的所述至少一部分，用第二带电粒子束获取所述第一样品图像，并且所述方法进一步包括基于所述第二带电粒子束的焦距来确定所述第一样品深度与所述第二样品深度之间的差。6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中用第一带电粒子束去除所述第一样品表面的所述至少一部分，用第二带电粒子束获取所述第一样品图像，并且所述方法进一步包括在去除所述第一样品表面的所述至少一部分之前，通过对所述第二带电粒子束的多个焦深处的至少两个基准之间的距离进行成像来确定所述第二样品深度。7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述第一样品表面为所述样品的顶部表面，所述第一基准为所述顶部表面上的特征。8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其进一步包括通过用聚焦离子束沉积或蚀刻所述第一样品表面来形成所述第一基准。9.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中在去除所述第一样品表面的所述至少一部分以暴露所述第二样品表面时形成所述第二基准。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二基准包括所述第一样品表面与所述第二
样品表面之间的边界的一部分。11.一种用于对样品进行成像的方法，其包括：将第一基准定位在第一样品深度处的第一样品表面上；将所述样品从所述第一样品深度铣削到第二样品深度以暴露多个第一样品表面，并且使用在第一焦深处的带电粒子束在经暴露的多个第一样品表面上获取包括所述第一基准和所关注区域（ROI）的多个第一样品图像，其中所述多个第一样品图像中的每一个对应于从所述第一样品深度到所述第二样品深度的所述多个第一样品表面中的一个；定位第二基准；将所述样品从所述第二样品深度铣削到第三样品深度以暴露包括所述ROI的多个第二样品表面，并且使用在第二焦深处的所述带电粒子束在经暴露的多...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟祯新，高海峰，林映红，张瑞心，吴冰星，
申请(专利权)人：FEI公司，
类型：发明
国别省市：