一种电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质及其制备方法和应用，所述电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质的化学式为Y2‑

【技术实现步骤摘要】
一种电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及一种电子俘获型稀土共掺锗酸钇的光存储介质及其制备方法和在二进制光信息存储中的应用，属于光信息存储


技术介绍

[0002]据国际数据公司预测，到2025年全球产生的数据总量将达到175ZB(1ZB＝10
12
GB)，其中冷数据(访问频次不高但重要的数据，如城市的统计数据、医院的患者健康数据、国防保密数据等)约占80％。光信息存储被认为是最具应用前景的冷数据存储方式，具有低能耗、长寿命和高安全性的优点。然而，现有光存储技术(如CD、DVD或BD)受制于光衍射极限及二维存储模式，容量难以满足需求。目前商用光存储介质主要有光热塑料、光折变晶体和光致聚合物，存在易老化和失效问题，故亟须开发新的耐久性超分辨记录材料。
[0003]稀土掺杂的电子俘获型发光材料是先进光学材料家族中的一个特殊成员，该类材料可吸收X射线或者高能量紫外线能量，一部分载流子(通常是稀土发光离子)被激发后发光，即“信息写入”，该波段为“写入”波段；另一部分载流子被激发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质，其特征在于，所述电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质的化学式为Y2‑
x
‑
y
GeO
5 : xPr
3+
,yRE
3+
，其中RE=Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种，0.005＜x＜0.015，0＜y≤0.02；优选为x=0.01，y=0.001。2.根据权利要求1所述的电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质，其特征在于，所述电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质为电子俘获型稀土共掺锗酸钇粉体光存储介质、电子俘获型稀土共掺锗酸钇陶瓷光存储介质。3.根据权利要求1或2所述的电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质，其特征在于，在波长为200nm～270 nm的紫外光或波长为400nm～540 nm的飞秒激光下进行光激励，以在电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质中有效写入光学信息；在高于100℃下进行热激励或波长为400 nm～1250 nm的激光下进行光激励，以实现电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质中光学信息的一次或多次读出。4.一种权利要求1
‑
3中任一项所述的电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质的制备方法，其特征在于，包括：（1）以Y源、Ge源、Pr源和RE源作为原料按照化学计量比称量并混合，经过预烧处理，得到预烧粉体；（2）将所得预烧粉体进行烧结，得到所述电子俘获型稀土共掺锗酸钇光存储介质；优选地，所述Y源为Y2O3；所述Ge源为GeO2；所述Pr源为Pr6O
11
；所述RE源为 Tb4O7、Dy 2
O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3和Lu2O3中的至少一种。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述预烧处理的温度为600～1000℃，时间为1.5～5小时；所述烧结合成的温度为1100～1700℃，时间为3～10小时；优选地，将预烧粉体压制成型后再进行烧结；更...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘茜，邓明雪，徐小科，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：