【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置气体供应系统
[0001]本专利技术涉及等离子体刻蚀
,尤其涉及一种等离子体处理装置的气体供应系统。
技术介绍
[0002]利用等离子体处理对晶圆进行刻蚀,以形成电子产品,已成为集成电路领域通用的技术。在等离子体处理中,为了提高生产效率,采用将多个处理腔集合在一起,共用一套管理系统、传送机器人、晶片储存箱,气体传输系统等。由于处理腔在某一工艺流程中,需要多种反应气体,所以针对每一种反应气体都需要从厂务气体管路设计一条管线连通到反应腔,并且在管线上设置有气体控制器来进行通断及流量调节,在厂务端针对每个气体管路也需要配备手动阀门,气动阀门,过滤器,调压阀,压力计等零件,增加了厂务端的气体系统复杂程度。
[0003]为了进一步节省成本,对于主系统下的多个反应腔,针对同一气体采用厂务端的一根进气主管路接入主阀箱,再从主阀箱通过多个并联的管路接入每个反应腔,在反应腔端设置具体的阀门、过滤器、调压阀、压力计、MFC(质量流量控制器)等部件。这样,在等离子体处理时,多个反应腔如果使用同一反应气体混合方案, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体装置处理气体供应系统,用于将处理气体分配至多个反应腔,其特征在于,包括:歧管,用于输送所述处理气体;控制箱,位于所述歧管的支路上,用于调节所述处理气体的流量;调节箱,位于所述歧管的干路上,通过所述调节箱中的处理气体的物态变化改变所述歧管的干路中的气压。2.如权利要求1所述的供应系统,其特征在于,所述物态变化为液态与气态之间的变化。3.如权利要求2所述的供应系统,其特征在于,所述调节箱包括储液盒、气体管路和液体管路,所述气体管路和液体管路的一端与所述歧管的干路连接,另一端与所述储液盒内部相连,所述气体管路上设置有气体阀,所述液体管路上设置有液体阀。4.如权利要求3所述的供应系统,其特征在于,所述气体供应管路内径大于所述液体管路内径。5.如权利要求4所述的供应系统,其特征在于,所述气体管路的管外设置有第一加热器,所述液体管路的管外设置有冷却器。6.如权利要求1所述的供应系统,其特征在于,所述调节箱包括温度控制装置。7.如权利要求1所述的供应系统,其特征在于,所述干路的...
【专利技术属性】
技术研发人员:马冬叶,连增迪,陈煌琳,
申请(专利权)人:中微半导体设备上海股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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