MOS功率器件及其制备方法技术

本公开涉及一种MOS功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域，其不仅不会影响MOS功率器件的特性，而且还会使MOS功率器件获得更快的信号传输速度，减小信号在传输过程的耗损。一种MOS功率器件，该MOS功率器件包括层叠在所述MOS功率器件的栅氧化层上的多层栅极，该多层栅极包括交替层叠的多晶硅层和金属层，其中，所述多层栅极的最底层是所述多晶硅层而且该最底层与所述栅氧化层相接触，所述多层栅极的最顶层是所述金属层。极的最顶层是所述金属层。极的最顶层是所述金属层。

【技术实现步骤摘要】
MOS功率器件及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体地，涉及一种MOS功率器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]MOS功率器件又称绝缘栅场效应晶体管，其工作原理是通过栅极控制信号控制MOS功率器件的开启和关断。在高频应用领域，对MOS功率器件的开关速度与相应速度有较高的要求。目前的MOS功率器件的栅极都是采用多晶硅材料。然而，由于多晶硅本质上是半导体，所以多晶硅材料的导电性并不是非常完美，从而限制了信号传递的速度，影响了MOS功率器件的开关速度与相应速度。

技术实现思路

[0003]本公开的目的是提供一种MOS功率器件及其制备方法，其不仅不会影响MOS功率器件的特性，而且还会使MOS功率器件获得更快的信号传输速度，减小信号在传输过程的耗损。
[0004]根据本公开的第一实施例，提供一种MOS功率器件，该MOS功率器件包括层叠在所述MOS功率器件的栅氧化层上的多层栅极，该多层栅极包括交替层叠的多晶硅层和金属层，其中，所述多层栅极的最底层是所述多晶硅层而且该最底层与所述栅氧化层相接触，所述多层栅极的最顶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS功率器件，其特征在于，该MOS功率器件包括层叠在所述MOS功率器件的栅氧化层上的多层栅极，该多层栅极包括交替层叠的多晶硅层和金属层，其中，所述多层栅极的最底层是所述多晶硅层而且该最底层与所述栅氧化层相接触，所述多层栅极的最顶层是所述金属层。2.根据权利要求1所述的MOS功率器件，其特征在于，所述多晶硅层与所述金属层形成欧姆接触。3.根据权利要求1所述的MOS功率器件，其特征在于，所述金属层由熔点高于所述MOS功率器件制备过程中所能使用的温度上限的金属构成。4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的MOS功率器件，其特征在于，构成所述金属层的金属选自钛、钨、金、铜、钒、钯、镍、钼中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的MOS功率器件，其特征在于，所述多层栅极包括一层所述多晶硅层和一层所述金属层。6.根据权利要求1所述的MOS功率器件，其特征在于，所述多层栅极还包括对最顶层的所述金属层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦博，吴海平，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：