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本公开涉及一种MOS功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域，其不仅不会影响MOS功率器件的特性，而且还会使MOS功率器件获得更快的信号传输速度，减小信号在传输过程的耗损。一种MOS功率器件，该MOS功率器件包括层叠在所述MOS功率器件的栅...
该专利属于比亚迪半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪半导体股份有限公司授权不得商用。

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