一种毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电子陶瓷材料及其制造技术领域，具体涉及一种毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料，并进一步公开其制备方法。本发明专利技术所述毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料以Mg2SiO4为基体材料，并添加低K值低熔点玻璃粉形成，经成型烧结后的膜片，使用SPDR测试方法，在室温以及20GHz测试频率下，介电常数为7

【技术实现步骤摘要】
一种毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电子陶瓷材料及其制造
，具体涉及一种毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料，并进一步公开其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，在半导体技术飞速发展的带动下，电子元器件不断向小型化、集成化和高频化方向发展。选择适当的能与银等导电材料在不超过900℃的温度下低温共烧的陶瓷，从而制作多层元件或把无源器件埋入多层电路基板中，成为上述趋势的必然要求，作为无源集成元件主要介质材料的低温共烧陶瓷也因此成为一种重要的发展趋势。低温共烧陶瓷LTCC(Low Temperature Co
‑
fired Ceramic)材料主要是将适量烧结助剂引入介质陶瓷系统后，利用液相烧结机制促进材料的致密化。低温共烧陶瓷技术具有阻抗可控、传输损耗低、组装密度高、功能模块丰富等优点，是微波/毫米波电路组件实现小型化、多功能化、高可靠性化、低成本化不可或缺的关键技术。
[0003]如中国专利CN105347781A公开的以主晶相Mg2SiO4和掺杂相硅酸盐玻璃、Al2O3、Z本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料，其特征在于，以所述材料的总量计，包括如下质量含量的组分：Mg2SiO4ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
70
‑
90wt％；低K值低熔点玻璃粉
ꢀꢀ
10
‑
30wt％。2.根据权利要求1所述毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低K值低熔点玻璃粉的玻璃K值为6.7
‑
8.3，软化点为520
‑
640℃。3.根据权利要求1或2所述毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低K值低熔点玻璃粉包括ZnO
‑
SiO2‑
Al2O3、BaO
‑
ZnO
‑
Al2O3‑
CaO、CaO
‑
Al2O3‑
SiO2、ZnO
‑
Al2O3‑
Bi2O3玻璃。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料在室温以及20GHz测试频率下，介电常数为7
±
0.2。5.根据权利要求1
‑
3任一项所述毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料在室温以及20GHz测试频率下，其介电损耗<4
×
10
‑3。6.根据权利要求1
‑
3任一项所述毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料在
‑
40℃～110℃温度范围内以及测试频率20GHz下，温漂为
±
10...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱恒，闫鑫升，艾辽东，刘振锋，奚洪亮，宋锡滨，
申请(专利权)人：山东国瓷功能材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：