【技术实现步骤摘要】
硅棒切割系统
[0001]本申请涉及硬脆材料切割技术,尤其涉及一种硅棒切割系统。
技术介绍
[0002]随着异质结电池的发展,市场对小片硅片的需求越来越大,对薄片的需求也越来越高,厚度从原来180微米到150微米,将来的市场可能需要90微米,甚至70、80微米厚度硅片,而越薄硅片就需要越小的硅片规格来保证切割质量和过程。
[0003]传统方案中,小片的单晶硅电池通常是先将单晶硅棒切割成大片硅片,再采用激光技术上对大片硅片进行划片切割形成小片硅片,但在激光划片的过程中,会对小片硅片的横断面产生损伤和缺陷态,严重影响最终加工成的异质结电池的转换效率。
[0004]而硅棒的尺寸越来越大,由166mm到182mm,再到210mm,将来可能会到230mm甚至到250mm,大规格硅棒切割成大硅片的良率降低,同时后续的工艺过程中要求太高,极容易破裂。
技术实现思路
[0005]为了解决上述技术缺陷之一,本申请实施例中提供了一种硅棒切割系统。
[0006]根据本申请实施例的第一个方面,提供了一种硅棒切
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅棒切割系统,其特征在于,包括:硅棒切割设备,设置有四个切割线轮组;绕设在每个切割线轮组上的切割线用于沿第一切面对硅棒进行切割;四个第一切面相互平行,得到中间棒、具有两个平面及相接在两个平面之间的弧面的两个第一类边皮料、以及具有一平面及与该平面相接的弧面的两个第二类边皮料;中间棒切割设备,设置有至少五个切割线轮组;绕设在每个切割线轮组上的切割线用于沿第二切面对中间棒进行切割;至少五个第二切面相互平行,得到至少两个小硅棒、具有两个平面及相接在两个平面之间的弧面的两个第一类边皮料、以及具有一平面及与该平面相接的弧面的两个第二类边皮料。2.根据权利要求1所述的硅棒切割系统,其特征在于,所述硅棒切割设备包括:基座;承载台,设置于所述基座上,用于承载硅棒;线切割装置,设置于所述基座上,与承载台可沿硅棒的长度方向相对移动;所述线切割装置包括四个切割线轮组;四个切割线轮组分为两组,绕设在两个切割线轮上的切割线用于沿第一切面对硅棒进行切割。3.根据权利要求1所述的硅棒切割系统,其特征在于,所述中间棒切割设备包括:基座;承载台,设置于所述基座上,用于承载中间棒;线切割装置,设置于所述基座上,与承载台可沿中间棒的长度方向相对移动;所述线切割装置包括至少五个切割线轮组;绕设在切割线轮组上的切割线用于沿第二切面对中间棒进行切割。4.根据权利要求2或3所述的硅棒切割系统,其特征在于,每组切割线轮组包括至少两个切割线轮,两个切割线轮共面且绕设于该两个切割线轮上的切割线形成第一切面,另外一组中的两个切割线轮共面且绕设于该两个切割线轮上的切...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛俊兵,李林,杨保聚,陈明一,
申请(专利权)人:青岛高测科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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