光刻装置及光刻方法制造方法及图纸

本申请提供一种光刻装置及光刻方法，能够按照掩膜版的掩膜图形进行光投影方式的无损光刻；该光刻装置包括真空生长室、掩膜板、光路系统、光源；光源、掩膜板、光路系统均位于真空生长室的外部；光源发出的光线经掩膜板和光路系统后，在真空生长室内形成光投影图案，以通过光投影图案对形成在衬底表面的材料进行光刻；光投影图案的形状与掩膜板的掩膜图案的形状一致。状一致。状一致。

【技术实现步骤摘要】
光刻装置及光刻方法


[0001]本申请涉及光刻
，尤其涉及一种光刻装置及光刻方法。

技术介绍

[0002]传统的光刻工艺采用自上而下的光刻图形化工艺，通过在掩膜层(即待刻蚀层)的表面涂覆光刻胶，并通过曝光、显影将掩膜版的掩膜图样转移到光刻胶上，然后采用刻蚀的方式，将未被光刻胶阻挡的掩膜层去除，最后将充当掩膜的光刻胶去除，从而形成膜层图案。
[0003]由于上述传统的光刻工艺会在原子尺度上引发各种缺陷，如光刻胶和刻蚀会引入化学污染、传统的物理或化学刻蚀手段会引入晶格破坏等，从而会导致光刻图形化之后的再生界面在纳米级的质量严重受损，导致无法满足一些要求低缺陷密度的器件(如外延级要求的器件)。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种光刻装置及光刻方法，能够按照掩膜版的掩膜图形进行光投影方式的无损光刻。
[0005]本申请提供一种光刻装置，包括真空生长室、掩膜板、光路系统、光源；光源、掩膜板、光路系统均位于真空生长室的外部；光源发出的光线经掩膜板和光路系统后，在真空生长室内形成光投影图案，以通过光投影图案对形成在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻装置，其特征在于，包括真空生长室、掩膜板、光路系统、光源；所述光源、所述掩膜板、所述光路系统均位于所述真空生长室的外部；所述光源发出的光线经所述掩膜板和所述光路系统后，在所述真空生长室内形成光投影图案，以通过所述光投影图案对形成在衬底表面的材料进行光刻；所述光投影图案的形状与所述掩膜板的掩膜图案的形状一致。2.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述光源为非相干光源。3.根据权利要求1或2所述的光刻装置，其特征在于，所述光源为脉冲光源。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的光刻装置，其特征在于，所述掩膜板为透射式掩膜板；或者，所述掩膜板为反射式掩膜板。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的光刻装置，其特征在于，所述掩膜板为移相掩膜板。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的光刻装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭长四，刘晟，高雅琨，石震武，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：