套刻偏差的补偿系统及方法技术方案

一种套刻偏差的补偿系统及方法，包括：提供若干历史处理晶圆；根据若干历史处理晶圆获取晶圆预测补偿数据库，晶圆预测补偿数据库包括：历史处理晶圆对应的第一制程路径、每个历史处理晶圆对应第一偏差补偿值；提供待补偿晶圆；获取待补偿晶圆的第二制程路径；根据待第二制程路径与晶圆预测补偿数据库进行对比，获取待补偿晶圆的第二偏差补偿值。通过晶圆预测补偿数据库能够提前预测待补偿晶圆的补偿值，有效提升了生产效率。另外，晶圆预测补偿数据库中将每个历史处理晶圆的第一制程路径作为影响变量引入到套刻偏差的补偿中，有效提升了最终的补偿精度，降低了重新检测补偿的风险，进而降低了生产成本。进而降低了生产成本。进而降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
套刻偏差的补偿系统及方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种套刻偏差的补偿系统及方法。

技术介绍

[0002]套刻精度(overlay，OVL)是指在光刻制造工艺中当层图形和前层图形的叠对位置精度。由于集成电路芯片的制造是通过多层电路层叠加而成，如果当层和前层没有对准的话，芯片将无法正常工作。因此，在形成当层的过程中，减小套刻精度、确保套刻精度在偏差范围内是极为重要的一件事情。
[0003]在现有技术中，通常通过若干次的套刻偏差补偿处理，不断提高当前批次的晶圆的套刻精度。所述套刻偏差补偿处理包括：在前一批次的晶圆中获取待测晶圆；对待测晶圆进行套刻精度检测，获取前一批次套刻精度信息；根据前一批次套刻精度信息，获取套刻偏差模型；根据套刻偏差模型，对当前批次的晶圆进行套刻偏差补偿。
[0004]然而，现有技术中的套刻偏差补偿处理仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种套刻偏差的补偿系统及方法，能够有效降低成本支出，同时提升产能。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种套刻偏差的补偿方法，包括：提供若干历史处理晶圆；根据若干所述历史处理晶圆获取晶圆预测补偿数据库，所述晶圆预测补偿数据库包括：每个所述历史处理晶圆对应的第一制程路径、以及与每个所述历史处理晶圆对应第一偏差补偿值；提供待补偿晶圆；获取所述待补偿晶圆的第二制程路径；根据所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值。
[0007]可选的，所述晶圆预测补偿数据库还包括：每个所述历史处理晶圆对应的晶圆组。
[0008]可选的，根据所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值的方法包括：当获取的所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库中的一个历史处理晶圆A的第一制程路径相同时，则所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值为所述历史处理晶圆A的第一偏差补偿值。
[0009]可选的，获取所述晶圆预测补偿数据库的方法包括：对若干所述历史处理晶圆进行分组处理，获取若干晶圆组，每个所述晶圆组中包括至少一个所述历史处理晶圆；获取所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆的第一制程路径，并将所述第一制程路径与所述晶圆组进行关联；获取每个所述晶圆组中的历史处理晶圆所对应的第一偏差补偿值。
[0010]可选的，对若干所述历史处理晶圆进行分组处理的方法包括：对若干所述历史处理晶圆进行归一化处理，获取若干归一化晶圆；对若干所述归一化晶圆进行补偿值剥离处理，获取若干初始态晶圆；对若干所述初始态晶圆进行再补偿处理，获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值；根据所述纯粹补偿值对若干所述历史处理晶圆进行分组处理。
[0011]可选的，所述历史处理晶圆中包括若干第一测量点，每个所述第一测量点上对应有第一测量值。
[0012]可选的，获取所述归一化晶圆的方法包括：提供数据拟合模型；根据所述数据拟合模型对所述第一测量点和所述第一测量值进行数据拟合运算，获取所述归一化晶圆，所述归一化晶圆中包括若干第二测量点，每个所述第二测量点上对应有第二测量值。
[0013]可选的，获取所述初始态晶圆的方法包括：获取每个所述归一化晶圆在每个所述第二测量点上对应的历史补偿值；将所述归一化晶圆上每个所述第二测量值减去对应的所述历史补偿值，获取所述初始态晶圆，所述初始态晶圆中包括若干第三测量点，所述第三测量点与所述第二测量点对应，每个所述第三测量点上对应有初始偏差值。
[0014]可选的，获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值的方法包括：提供再补偿模型；根据所述再补偿模型获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值。
[0015]可选的，根据所述纯粹补偿值对若干所述历史处理晶圆进行分组处理的方法包括：将每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值生成对应的可视化图像；对若干所述可视化图像进行图像识别处理，根据所述图像识别处理对若干所述历史处理晶圆进行分组处理。
[0016]可选的，获取每个所述晶圆组中的历史处理晶圆所对应第二偏差补偿值的方法包括：提供权重分配模型；根据所述权重分配模型对所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆的纯粹补偿值进行运算处理，获取所述第二偏差值。
[0017]可选的，在获取所述第一制程路径的过程中，还包括：去除所述第一制程路径中第一干扰制程路径。
[0018]可选的，所述第一干扰制程路径包括：在所述待补偿晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的第一制程路径。
[0019]可选的，在获取所述第二制程路径的过程中，还包括：去除所述第二制程路径中第二干扰制程路径。
[0020]可选的，所述第二干扰制程路径包括：在所述历史处理晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的所述第二制程路径。
[0021]可选的，在获取所述待补偿晶圆的第一偏差补偿值之后，还包括：采用是第一偏差补偿值对所述待补偿晶圆进行偏差补偿处理，获取补偿晶圆。
[0022]相应的，本专利技术还提供了一种套刻偏差的补偿系统，包括：数据库获取单元，根据若干历史处理晶圆获取晶圆预测补偿数据库，所述晶圆预测补偿数据库包括：每个所述历史处理晶圆对应的第一制程路径、以及与每个所述历史处理晶圆对应第一偏差补偿值，用于为待补偿晶圆提供预测偏差补偿值；第二路径获取单元，用于获取所述待补偿晶圆的第二制程路径；处理单元，用于将所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值。
[0023]可选的，所述晶圆预测补偿数据库还包括：每个所述历史处理晶圆对应的晶圆组。
[0024]可选的，所述处理单元包括：对比模块，用于对比所述待补偿晶圆与所述晶圆预测补偿数据库，当获取的所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库中的一个历史处理晶圆A的第一制程路径相同时，产生数据提取信号；查找模块，用于接收所述提取信号，查找所述历史处理晶圆A所对应的第一偏差补偿值，并将所述历史处理晶圆A的第一偏差补偿值作为所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值输出。
[0025]可选的，所述数据库获取单元包括：分组单元，用于对若干所述历史处理晶圆进行分组处理，获取若干晶圆组，每个所述晶圆组中包括至少一个所述历史处理晶圆；第一路径获取单元，用于获取所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆的第一制程路径，并将所述第一制程路径与所述晶圆组进行关联；偏差补偿值获取单元，用于获取每个所述晶圆组中的历史处理晶圆所对应第一偏差补偿值。
[0026]可选的，所述分组单元包括：归一化处理模块，用于对若干所述历史处理晶圆进行归一化处理，获取若干归一化晶圆；补偿值剥离模块，用于对若干所述归一化晶圆进行补偿值剥离处理，获取若干初始态晶圆；纯粹补偿值获取模块，用于对若干所述初始态晶圆进行再补偿处理，获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值。
[0027]可选的，所述历史处理晶圆中包括若干第一测量点，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种套刻偏差的补偿方法，其特征在于，包括：提供若干历史处理晶圆；根据若干所述历史处理晶圆获取晶圆预测补偿数据库，所述晶圆预测补偿数据库包括：每个所述历史处理晶圆对应的第一制程路径、以及与每个所述历史处理晶圆对应第一偏差补偿值；提供待补偿晶圆；获取所述待补偿晶圆的第二制程路径；根据所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值。2.如权利要求1所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，所述晶圆预测补偿数据库还包括：每个所述历史处理晶圆对应的晶圆组。3.如权利要求2所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，根据所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值的方法包括：当获取的所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库中的一个历史处理晶圆A的第一制程路径相同时，则所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值为所述历史处理晶圆A的第一偏差补偿值。4.如权利要求2所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取所述晶圆预测补偿数据库的方法包括：对若干所述历史处理晶圆进行分组处理，获取若干晶圆组，每个所述晶圆组中包括至少一个所述历史处理晶圆；获取所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆的第一制程路径，并将所述第一制程路径与所述晶圆组进行关联；获取每个所述晶圆组中的历史处理晶圆所对应的第一偏差补偿值。5.如权利要求4所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，对若干所述历史处理晶圆进行分组处理的方法包括：对若干所述历史处理晶圆进行归一化处理，获取若干归一化晶圆；对若干所述归一化晶圆进行补偿值剥离处理，获取若干初始态晶圆；对若干所述初始态晶圆进行再补偿处理，获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值；根据所述纯粹补偿值对若干所述历史处理晶圆进行分组处理。6.如权利要求5所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，所述历史处理晶圆中包括若干第一测量点，每个所述第一测量点上对应有第一测量值。7.如权利要求6所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取所述归一化晶圆的方法包括：提供数据拟合模型；根据所述数据拟合模型对所述第一测量点和所述第一测量值进行数据拟合运算，获取所述归一化晶圆，所述归一化晶圆中包括若干第二测量点，每个所述第二测量点上对应有第二测量值。8.如权利要求7所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取所述初始态晶圆的方法包括：获取每个所述归一化晶圆在每个所述第二测量点上对应的历史补偿值；将所述归一化晶圆上每个所述第二测量值减去对应的所述历史补偿值，获取所述初始态晶圆，所述初始态晶圆中包括若干第三测量点，所述第三测量点与所述第二测量点对应，每个所述第三测量点上对应有初始偏差值。9.如权利要求8所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值的方法包括：提供再补偿模型；根据所述再补偿模型获取每个所述初始态
晶圆对应的纯粹补偿值。10.如权利要求5所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，根据所述纯粹补偿值对若干所述历史处理晶圆进行分组处理的方法包括：将每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值生成对应的可视化图像；对若干所述可视化图像进行图像识别处理，根据所述图像识别处理对若干所述历史处理晶圆进行分组处理。11.如权利要求5所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取每个所述晶圆组中的历史处理晶圆所对应第二偏差补偿值的方法包括：提供权重分配模型；根据所述权重分配模型对所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆的纯粹补偿值进行运算处理，获取所述第二偏差值。12.如权利要求1所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，在获取所述第一制程路径的过程中，还包括：去除所述第一制程路径中第一干扰制程路径。13.如权利要求12所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，所述第一干扰制程路径包括：在所述待补偿晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的第一制程路径。14.如权利要求1所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，在获取所述第二制程路径的过程中，还包括：去除所述第二制程路径中第二干扰制程路径。15.如权利要求14所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，所述第二干扰制程路径包括：在所述历史处理晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的所述第二制程路径。16.如权利要求1所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，在获取所述待补偿晶圆的第一偏差补偿值之后，还包括：采用是第一偏差补偿值对...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海，杨晓松，吴怡旻，季颖娣，范蕤，朱定海，
申请(专利权)人：中芯南方集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：