一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法，包括TFT侧玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上设有GE金属层/无机膜层混合阻挡层，无机膜层和GE金属层的上表面齐平，无机膜层设在GE金属层的两侧，无机膜层的斜面与玻璃基板的锐角夹角小于50

【技术实现步骤摘要】
一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT
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LCD。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。
[0003]现阶段随着市场LCD显示屏窄边框需求趋势明显，且低成本、高分辨率IGZO面板逐渐成为开发的热点，但随着分辨率的提升，IGZO TFT器件的Short chanel（短沟道）设计对制程要求越来越高，金属层线宽线距及精度、金属层与非金属层膜质的选择/搭配直接影响到TFT器件电学特性的稳定性而制程方面，现有的TFT阵列基板的金属层蚀刻方式主要以湿刻(Mo/Al/Mo为例)和干刻(Ti/Al/Ti为例)为主，考虑到工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构，包括TFT侧玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上设有GE金属层/无机膜层混合阻挡层，无机膜层和GE金属层的上表面齐平，无机膜层设在GE金属层的两侧，无机膜层的斜面与玻璃基板的锐角夹角小于50
°
，所述GE金属层/无机膜层混合阻挡层上设有GI绝缘层，所述GI绝缘层上设有PV绝缘层。2.根据权利要求1所述的一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述GE金属层由铝、钼、钛、镍、铜或它们的合金成型。3.根据权利要求1所述的一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述无机膜层由SiOx材料成型。4.根据权利要求1所述的一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述GI绝缘层由SiOx或SiNx材料成型。5.根据权利要求1所述的一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述PV绝缘层由SiOx或SiNx材料成型。6.如权利要求1
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5任一项所述的一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在玻璃基板上通过物理气相沉积法形成GE金属层；2）在GE金属层上沉积一层无机膜层；3）为了消除高于GE金属层上表面的无机膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，陈鑫，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：