一种改善金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种改善金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法，所述改善金属残留的TFT阵列基板结构，包括TFT侧玻璃基板，所述玻璃基板上设有带有凹槽的缓冲层，所述凹槽的的形状为上大下小的梯形状，所述缓冲层的凹槽内沉积有GE金属层，所述GE金属层上设有GI绝缘层，所述GI绝缘层上设有PV绝缘层。本发明专利技术在玻璃基板上增加一层带有凹槽设计的缓冲层，使GE金属层走线沉积在缓冲层之内，采用CMP工艺，将缓冲层表面进行平坦化处理，使GE金属层与缓冲层处于共平面，排除了GE Taper的存在，消除了因GE Taper引起的金属残留，从而达到提高产品良率的目的。的目的。的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种改善金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种改善金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT
‑
LCD。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。
[0003]现阶段随着市场LCD显示屏窄边框需求趋势明显，且低成本、高分辨率IGZO面板逐渐成为开发的热点，但随着分辨率的提升，IGZO TFT器件的Short chanel（短沟道）设计对制程要求越来越高，金属层线宽线距及精度、金属层与非金属层膜质的选择/搭配直接影响到TFT器件电学特性的稳定性而制程方面，现有的TFT阵列基板的金属层蚀刻方式主要以湿刻(Mo/Al/Mo为例)和干刻(Ti/Al/Ti为例)为主，考虑到工艺成本、金属线CD大小精度、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善金属残留的TFT阵列基板结构，包括TFT侧玻璃基板，其特征在于：所述玻璃基板上设有带有凹槽的缓冲层，所述凹槽的的形状为上大下小的梯形状，所述缓冲层的凹槽内沉积有GE金属层，所述GE金属层上设有GI绝缘层，所述GI绝缘层上设有PV绝缘层。2.根据权利要求1所述的一种改善金属残留的TFT阵列基板结构，其特征在于：所述缓冲层和GE金属层的上表面齐平。3.根据权利要求1所述的一种改善金属残留的TFT阵列基板结构，其特征在于：所述缓冲层由SiOx材料成型。4.根据权利要求1所述的一种改善金属残留的TFT阵列基板结构，其特征在于：所述GE金属层由铝、钼、钛、镍、铜或它们的合金成型。5.根据权利要求1所述的一种改善金属残留的TFT阵列基板结构，其特征在于：所述GI绝缘层由SiOx或SiNx材料成型。6.根据权利要求1所述的一种改善金属残留的TFT阵列基板结构，其特征在于：所述PV绝缘层由SiOx或SiNx材料成型。7.如权利要求2~6之一所述的一种改善金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：1）在玻璃基...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，陈鑫，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：