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本发明公开一种改善金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法，所述改善金属残留的TFT阵列基板结构，包括TFT侧玻璃基板，所述玻璃基板上设有带有凹槽的缓冲层，所述凹槽的的形状为上大下小的梯形状，所述缓冲层的凹槽内沉积有GE金属层，所述GE金属...
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