基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器制造技术

本发明专利技术涉及吸波器技术领域，具体涉及一种基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器，包括多个太赫兹吸收器单元，多个太赫兹吸收器单元呈阵列分布，且相邻的太赫兹吸收器单元固定连接，每个太赫兹吸收器单元包括介质层、温控层和基底层，介质层、温控层和基底层从上到下依次堆叠。通过给基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器加热，改变温控层的物理性质，从而改变基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器的性能，实现对基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器吸收率的主动控制。调太赫兹吸收器吸收率的主动控制。调太赫兹吸收器吸收率的主动控制。

【技术实现步骤摘要】
基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器


[0001]本专利技术涉及吸波器
，尤其涉及一种基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器。

技术介绍

[0002]太赫兹吸波器(Terahertz absorber)是指在特定频率处吸收大部分入射的太赫兹波的能量，使得其几乎没有能量反射。太赫兹吸波器在电磁隐身、热辐射、传感、热成像和辐射热仪等方面具有非常大的潜在应用价值。因此太赫兹吸波器的发展至关重要。
[0003]传统的超材料吸波器只能在某固定的吸收率下工作，如需改变对电磁波的吸收率，则需重新设计和加工，成本增加，且为研究工作带来不便。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器，旨在解决传统的超材料吸波器只能在某固定的吸收率下工作的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器，包括多个所述太赫兹吸收器单元，多个所述太赫兹吸收器单元呈N
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N分布，N为自然数，相邻的所述太赫兹吸收器单元固定连接；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器，其特征在于，包括多个所述太赫兹吸收器单元，多个所述太赫兹吸收器单元呈N
×
N分布，N为自然数，相邻的所述太赫兹吸收器单元固定连接；每个所述太赫兹吸收器单元包括介质层、温控层和基底层，所述介质层、所述温控层和所述基底层从上到下依次堆叠。2.如权利要求1所述的基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器，其特征在于，所述温控层的材料为二氧化钒或锑化铟。3.如权利要求2所述的基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器，其特征在于，所述基底层的材料为二氧化硅或硅。4.如权利要求3所述的基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器，其特征在于，每个所述介质层均包括第一介质圆环和第二介质圆环，所述第二介质圆环设置于所述温控层的顶部，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉婷，梁思创，郑曦尧，张文涛，黄巍，郝晓源，杜浩，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：