【技术实现步骤摘要】
一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构
[0001]本专利技术涉及屏蔽领域,特别是一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构。
技术介绍
[0002]随着第五代移动通信技术、人工智能和物联网的快速发展,对高性能电路的深度小型化提出了迫切的需求,特别是对于封装中的三维集成射频模块和电路。无论是单电路封装还是多个电路共享封装的情况,随着尺寸的减小以及集成度的提高,不可避免地会在相邻电路之间产生严重的近场耦合问题,以及单电路远场辐射超标问题。
[0003]近年来,国内外研究者们发展了许多方法来解决电路封装中的近/远场射频干扰问题,但是这些设计方法的难易程度和优缺点也各不相同。这些方法可分为以下两类:第一类是利用吸波体或屏蔽材料填充封装的整个横截面,从而隔离邻近的干扰。例如在共享封装的场景中,将辐射体或屏蔽材料放置在不同电路之前,以减小电路之间的射频干扰。但是当电路的密度变得相对较高时,由于很难留下足够的间隙区域使整个截面可以充满屏蔽材料或屏蔽结构,因此会导致这种方法的工作性能显著恶化,很难满足当前电路的要求。第二种方法是利 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构,其特征在于,包括屏蔽组件;所述屏蔽组件包括若干周期排列的裂口谐振环(2),所述裂口谐振环(2)上均嵌入有用于抑制多余谐振的电阻(3)。2.如权利要求1所述的一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构,其特征在于,所述屏蔽组件还包括加载在封装电路上的长方体屏蔽腔(4),若干周期排列的裂口谐振环(2)包括若干交替设置在所述长方体屏蔽腔(4)内的第一裂口谐振环、第二裂口谐振环;所述第一裂口谐振环嵌入有第一电阻(7),所述第二裂口谐振环中还嵌入有第二电阻(8),所述第一裂口谐振环与第二裂口谐振环之间还设置有寄生贴片(9)。3.如权利要求2所述的一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构,其特征在于,所述第一裂口谐振环由第一金属贴片(10)以及所述第一金属贴片(10)下方的两个第一金属通孔(11)构成,所述第二裂口谐振环由第二金属贴片(12)以及所述第二金属贴片(12)下方的两个第二金属通孔(13)构成;所述第一金属贴片(10)贴设在第一介质基板(14)上,所述第二金属贴片(12)贴设在第二介质基板(15)上,所述第一介质基板(14)的下方贴设有半固化片(16),所述第二金属贴片(14)的上表面贴设在所述半固化片(16)下方;所述第一金属通孔(11)贯穿所述第一介质基板(14)、半固化片(16)、第二介质基板(15),所述第二金属通孔(13)贯穿所述第二介质基板(15),所述第一电阻(7)、第二电阻(8)、寄生贴片(9)均贴设在所述第二介质基板(15)的下表面。4.如权利要求1所述的一种基于单负超材料的小型化宽频带屏蔽结构,其特征在于,还包括由上至下设置的第三金属贴片(17)、单极子(18)、第一金属地板(19);若干周期排列的裂口谐振环(2)设置在所述第三金属贴片(17)与第一金属地板(19)之间,若干裂口谐振环(2)呈矩形状排列,所述裂口谐振环(2)包括并排贴设在第三介质基板(20)上的两个第三裂口谐振环(21),所述第三裂口谐振环(21)上嵌入有两个第三电阻(22);...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。