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本发明涉及吸波器技术领域，具体涉及一种基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器，包括多个太赫兹吸收器单元，多个太赫兹吸收器单元呈阵列分布，且相邻的太赫兹吸收器单元固定连接，每个太赫兹吸收器单元包括介质层、温控层和基底层，介质层、温控层和基底层...
该专利属于桂林电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过桂林电子科技大学授权不得商用。

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