交联型电子调节层材料、其制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种交联型电子调节层材料、其制备方法及应用。所述交联型电子调节层材料的分子设计中引入吡啶或三氮嗪功能基团作为分子骨架，苯乙烯作为交联基团并进行分子构建。本发明专利技术提供的交联型电子调节层材料分子中的吡啶或三氮嗪功能基团具有良好的电子传输能力，可有效解决引入缓冲层厚度对QLED器件性能敏感性问题；同时，分子中引入交联基团，交联后形成三维网状聚合物，可以实现电子调节层高的热稳定性和良好的耐溶剂特性，从而解决多层溶液法制备时存在的上层溶剂对下层薄膜的腐蚀问题，有利于产业化生产大面积多层溶液法QLED制备。QLED制备。QLED制备。

【技术实现步骤摘要】
交联型电子调节层材料、其制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及一种电子调节层材料，具体涉及一种用于倒置型量子点电致发光器件的交联型电子调节层材料及其制备方法，以及在量子点电致发光器件中的应用，属于量子点电致发光显示


技术介绍

[0002]量子点发光二极管(QLED)因其高颜色纯度、易于制造和高的光学稳定性，有望成为下一代显示器。特别是倒置型器件结构的QLED，由于其底部阴极与市场主流的n型薄膜晶体管漏极端更容易集成而受到人们的广泛关注。其中，ZnO纳米粒子由于具有较高的电子迁移率和合适的能级，常被用作电子注入层(EIL)，以提高电子注入效率。然而，由于ZnO的载流子迁移率比有机空穴传输层(HTL)更快，导致了载流子注入不平衡，增加了非辐射俄歇复合的可能性；与此同时，由于ZnO和QDs均呈球状结构，ZnO/QDs界面处不可避免地会出现空洞，导致QLED的漏电流较大。
[0003]目前，解决这些问题的一种有效方法是在ZnO和QDs层之间引入一层薄薄的缓冲层作为电子调节层(ERL)。已经报道的缓冲层的材料有非共轭聚合物(PMMA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交联型电子调节层材料，其特征在于，所述交联型电子调节层材料包括如式(A)～式(D)中至少任一者所示的结构：
其中，吡啶环与相邻的两个苯环在任意位置以共价键相连，R1～R5为氢或C1～C
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的烷基或乙烯基，并且其中至少一个基团必须为乙烯基。2.根据权利要求1所述的交联型电子调节层材料，其特征在于，所述交联型电子调节层材料包括如式(1)～式(10)中至少任一者所示的结构：
3.一种电子调节层，其特征在于，它是由权利要求1
‑
2中任一项所述的交联型电子调节层材料形成的。4.根据权利要求3所述的电子调节层，其特征在于：所述电子调节层的厚度为1～40nm。5.权利要求1
‑
2中任一项所述的交联型电子调节层材料或权利要求3
‑
4中任一项所述的电子调节层于制备倒置型量子点电致发光器件中的应用。6.一种倒置型量子点电致...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢黎明，苏文明，刘扬，易袁秋强，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：