一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质，超薄芯片背胶涂覆方法包括：将经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；将载有芯片的磨片膜放置于涂胶平台上；根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速的移动喷涂，其中所述涂胶喷头沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液。本申请具有可以对经过DBG工艺切割后的晶圆进行背胶的涂覆的效果。工艺切割后的晶圆进行背胶的涂覆的效果。工艺切割后的晶圆进行背胶的涂覆的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质


[0001]本申请涉及半导体封装的领域，尤其是涉及一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质。

技术介绍

[0002]十九世纪五十年代，随着晶体管的专利技术，人类社会迎来了信息时代。遵循着摩尔定律晶圆制备工艺从最初的几十微米发展到了现在的几纳米，封装工艺也从开始的双列直插封装、小外形封装等传统封装发展到了目前的晶圆级封装、3D封装等先进封装。
[0003]伴随着手机、电脑等消费类电子产品多功能、小型化、低能耗的多样化趋势，封装后的芯片要求具备轻、薄、短、小的特点。因此晶圆级封装中芯片的研磨厚度也从开始的几百微米发展到了现在的几十微米。
[0004]目前常规的晶圆级封装工艺完成芯片正面的bumping后先将晶圆研磨到目标厚度，然后贴背胶对晶圆背面进行保护，最后再将晶圆切割成单颗芯片；但针对超薄芯片，晶圆在研磨过程、背胶贴膜、背胶烘烤、背面打标、划片贴膜等过程中极易造成晶圆裂片、隐裂等严重异常。目前解决这一问题的有效方法为采用先切后磨的DBG工艺（Dicing before Grinding），即先将晶圆切割到目标厚度以下，然后通过研磨到目标厚度使晶圆自动分离为单颗芯片。此方法目前存在的一个问题为研磨后芯片已分离为单颗芯片，无法再通过背胶或涂覆光刻胶等对芯片背面进行保护。

技术实现思路

[0005]为了可以较好的对经过DBG后的芯片的背面进行喷胶保护，本申请提供一种超薄芯片背胶涂覆方法、涂覆装置及存储介质。
[0006]第一方面，本申请提供的一种超薄芯片背胶涂覆方法采用如下的技术方案：一种超薄芯片背胶涂覆方法，包括：将经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；将载有芯片的磨片膜放置于涂胶平台上；根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速的移动喷涂，其中所述涂胶喷头沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液。
[0007]如今会采用的对晶圆背面进行封装的方式大都是涂胶平台旋转，胶管将光刻胶滴于晶圆的中心区域，利用涂胶平台的旋转来将光刻胶均匀的附着在晶圆背面。但是在当采用DBG工艺对晶圆进行分割后，旋转的涂胶平台极其容易使附着于涂胶平台上的芯片在离心力的作用下被甩飞，同时由于分割的芯片之间有间隔，导致胶液无法顺畅的在晶圆的背面进行流动，同时也会导致胶液渗入至芯片正面而导致芯片失效，因此传统的工艺无法满足这种涂胶的需求。而采用涂胶平台固定以及涂胶喷头移动的方式可以有效地改正芯片受力甩飞的情况，同时使涂胶喷头喷出雾状胶液的方式可以较为均匀的将胶液喷洒在芯片的背面以附着形成背胶，较好的改善了传统的DBG工艺无法形成芯片背胶的技术缺陷。
[0008]优选的，判定所述涂胶喷头的喷涂轨迹的方法包括：获取涂胶喷头距离晶圆的高度信息以及涂胶喷头的压力信息；根据高度信息以及压力信息对应获取晶圆上的喷涂半径，并获取涂胶喷头于晶圆上的投影中心；根据投影中心所在的位置与喷涂半径确定喷涂范围，所述喷涂范围由内至外被分为至少两个同心的喷涂区域，其中，最中心的喷涂区域为第一喷涂区域；在相邻行喷涂的过程中，两次喷涂时的喷涂范围相交，且后一次喷涂时的喷涂范围与前一次喷涂时的第一喷涂区域相切。
[0009]通过采用上述技术方案，雾状胶液是在涂胶喷头处向外辐射喷出的，喷出涂胶喷头的胶液会大致形成一个圆锥状，且同一单位时间下喷出涂胶喷头的胶液会大致组成一个球面，因此当涂胶喷头上的胶液喷射至一平面上时，越靠近涂胶喷头竖直投影区域的胶液量相较于四周会更大。因此采用这种边沿覆盖重复喷涂的方式可以使胶液覆盖较少的区域可以被二次重复喷涂，而第一喷涂区域中的胶液在喷涂过程中大致会满足厚度均匀的要求，从而使得喷涂厚度较薄的区域可以在多次喷涂的作用下增厚，也不会影响第一喷涂区域中的喷涂厚度。
[0010]优选的，确定第一喷涂区域的方法包括：获取芯片的列宽信息；根据列宽信息计算每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息；根据高度信息以及每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息计算每一行芯片间隔与涂胶喷头之间的最短连线与垂直方向之间的夹角信息；将夹角信息与预设的角度信息进行比较，并获取与预设的角度信息最接近的夹角信息所对应的芯片间隔位置信息；根据所获取的芯片间隔位置信息相对应的夹角信息与预设的角度信息之间的关系，对应调整涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离，直至该夹角信息与预设的角度信息之间相同；其中，所述涂胶喷头与晶圆上的投影中心始终位于芯片列宽的中心线上。
[0011]通过采用上述技术方案，可以将第一喷涂区域尽可能的覆盖完整的芯片，使得第一喷涂区域的边沿可以落在芯片与芯片之间的间隔处，从而使单一的芯片不会因为处于边界的分界处而产生相对不均匀的情况。同时，第一喷涂区域的范围的界定也与夹角相同，因此通过夹角的判断也可以较好的对第一喷涂区域进行界定，同时通过改变垂直距离也可以改变第一喷涂区域在晶圆上的投影范围。
[0012]优选的，确定喷涂半径的方法包括：根据每一间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的差值关系获取最接近喷涂半径的间隔距离信息；根据最接近喷涂半径的间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的大小关系，调整压力信息，直至喷涂半径与该间隔距离信息相等。
[0013]通过采用上述技术方案，通过改变涂胶喷头的压力可以改变喷涂半径的大小，从而改变喷涂范围，通过改变压力可以在尽量不影响第一喷涂区域大小的情况下增大喷涂范围，从而使喷涂范围的边界可以落在芯片与芯片之间的间隔处。
[0014]优选的，获取第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径信息；根据区域半径信息与喷涂半径信息以计算并获取间距信息；根据间距信息与列宽信息计算间隔行信息；根据间隔行信息规划涂胶喷头于晶圆上方的路径信息；其中，在第一次进行喷涂的过程中，涂胶喷头的移动轨迹于晶圆上的投影位于晶圆最边沿一行的芯片上。
[0015]通过采用上述技术方案，采用这种方式进行设计的轨迹可以满足每一次涂胶喷头的移动都在任意一行的芯片的中线的上方，从而使得每一次采用相同参数进行喷涂的区域的边界点都可以较好的落在芯片与芯片之间的间隔处，从而使芯片背面的背胶覆盖可以较为均匀。
[0016]优选的，获取位于相邻第一喷涂区域之间的重叠区域信息；根据第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径计算重叠区域宽度信息；根据重叠区域宽度信息以及重叠区域信息模拟重叠区域中线位置信息；根据重叠区域宽度信息计算涂胶喷头位于最大压力下、喷涂半径为重叠区域宽度一半时涂胶喷头距离晶圆的补喷高度信息；通过判断位于重叠区域内的芯片的背胶厚度与位于第一喷涂区域内的芯片的背胶厚度差，对应计算得到涂胶喷头在补喷时的移动速度信息并在补喷时应用于涂胶喷头移动机构上。
[0017]通过采用上述技术方案，在初次喷涂结束后，由于重叠区域位于喷涂范围的边缘处，喷涂的胶液较薄，因此在检测出厚度差之后，通过高压的雾状胶液快速对重叠区域进行补喷可以对较薄的部分进行补厚。同时，经过计算得到的补喷高度信息也不会影响第一喷涂区域中的背胶厚度。
[0018]优本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，包括：将经过切割研磨后的晶圆放置于磨片膜上，所述晶圆由若干芯片矩阵排列组成；将载有芯片的磨片膜放置于涂胶平台上；根据芯片的排列方式控制涂胶喷头对其中若干行依序进行匀速的移动喷涂，其中所述涂胶喷头沿其所在中心向下辐射喷出雾状胶液。2.根据权利要求1所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，判定所述涂胶喷头的喷涂轨迹的方法包括：获取涂胶喷头距离晶圆的高度信息以及涂胶喷头的压力信息；根据高度信息以及压力信息对应获取晶圆上的喷涂半径，并获取涂胶喷头于晶圆上的投影中心；根据投影中心所在的位置与喷涂半径确定喷涂范围，所述喷涂范围由内至外被分为至少两个同心的喷涂区域，其中，最中心的喷涂区域为第一喷涂区域；在相邻行喷涂的过程中，两次喷涂时的喷涂范围相交，且后一次喷涂时的喷涂范围与前一次喷涂时的第一喷涂区域相切。3.根据权利要求2所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，确定第一喷涂区域的方法包括：获取芯片的列宽信息；根据列宽信息计算每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息；根据高度信息以及每一行芯片间隔距投影中心的间隔距离信息计算每一行芯片间隔与涂胶喷头之间的最短连线与垂直方向之间的夹角信息；将夹角信息与预设的角度信息进行比较，并获取与预设的角度信息最接近的夹角信息所对应的芯片间隔位置信息；根据所获取的芯片间隔位置信息相对应的夹角信息与预设的角度信息之间的关系，对应调整涂胶喷头与晶圆之间的垂直距离，直至该夹角信息与预设的角度信息之间相同；其中，所述涂胶喷头与晶圆上的投影中心始终位于芯片列宽的中心线上。4.根据权利要求3所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，确定喷涂半径的方法包括：根据每一间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的差值关系获取最接近喷涂半径的间隔距离信息；根据最接近喷涂半径的间隔距离信息与当前确定的喷涂半径之间的大小关系，调整压力信息，直至喷涂半径与该间隔距离信息相等。5.根据权利要求2所述的超薄芯片背胶涂覆方法，其特征在于，获取第一喷涂区域的区域半径信息以及喷涂半径信息；根据区域半径信息...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春阳，彭祎，刘明明，方梁洪，
申请(专利权)人：宁波芯健半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：