一种碳化硅晶片表面有机污染物清洗方法技术

本发明专利技术涉及一种碳化硅晶片表面有机污染物清洗方法，通过将碳化硅晶片放入装有活化液的超声波清洗槽中进行超声清洗，在电解槽中接着进行电解处理，电解槽的阳槽中需要加入臭氧；电解完毕之后取出碳化硅晶片，使用纯水清洗、烘干、储存即可。本发明专利技术通过先对碳化硅晶片表面进行活化处理，然后利用电解所产生的强氧化性液体，配合电场的作用，能够对碳化硅晶片表面进行有效清洗，不但能有效的去除表面的有机污染物，还能够彻底去除表面的颗粒污染物；本发明专利技术对晶片的表面不会造成损伤，从而获得最优异的清洗效果。优异的清洗效果。优异的清洗效果。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶片表面有机污染物清洗方法


[0001]本专利技术涉及一种碳化硅晶片表面有机污染物清洗方法，属于晶片清洗


技术介绍

[0002]第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中有优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展更为成熟。
[0003]目前，碳化硅晶片的常用清洗技术常采用化学方法清洗。化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗晶片表面的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，使杂质从被清洗晶片的表面脱附，然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。化学清洗可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗在半导体清洗工艺中仍处于主导地位。
[0004]在湿法化学清洗中，分为以下几种方法：1）、溶液浸泡法溶液浸泡法是将晶片浸泡在化学溶液中来达到清除表面污染的一种方法。它是湿法化学清洗中最常用的一种方法。选用不同的溶液可以达到清除晶片表面不同类型的污染杂质，如采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片表面有机污染物清洗方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、表面处理将碳化硅晶片放入超声波清洗槽中，超声波清洗槽中倒入有活化液，浸泡10~15min；之后在超声波清洗槽中进行超声清洗，槽内温度保持在65~68℃，超声频率在66~72kHz，超声清洗时间为15~20min；超声清洗之后，送入到恒温烘箱中干燥；步骤二、深度清洗在电解槽的中间安装有离子交换膜，电解槽被半均相离子交换膜分隔为阴槽和阳槽，电解槽的阴极位于阴槽，电解槽的阳极位于阳槽；电解槽的阴极和阳极之间倒入电解液，使用强碱溶液将阴槽内溶液的pH控制在13以上，在阳槽加入臭氧，电解3~5min；将经过表面处理的碳化硅晶片放入到电解槽中继续电解3~5min，取出碳化硅晶片，使用纯水清洗、烘干、储存即可。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶片表面有机污染物清洗方法，其特征在于：所述活化液为质量分数为1.3~1.7%的1
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丁基
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甲基咪唑磷酸二丁酯盐溶液。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶片表面有机污染物清洗方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺贤汉，赖章田，陈有生，张城，
申请(专利权)人：上海申和投资有限公司，
类型：发明
国别省市：