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本发明涉及一种碳化硅晶片表面有机污染物清洗方法，通过将碳化硅晶片放入装有活化液的超声波清洗槽中进行超声清洗，在电解槽中接着进行电解处理，电解槽的阳槽中需要加入臭氧；电解完毕之后取出碳化硅晶片，使用纯水清洗、烘干、储存即可。本发明通过先对碳化...
该专利属于上海申和投资有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海申和投资有限公司授权不得商用。

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