本申请公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置、以及检测方法，显示面板包括：包括显示区和非显示区，非显示区包括：裂纹检测线，围绕显示区；以及N个串联连接的检测开关，包括每个检测开关的栅极电连接至一起构成的控制端、第1个检测开关的源漏极之一构成的第一输出端和第N个检测开关的源漏极之一构成的第二输出端；其中，控制端与裂纹检测线的一端电连接，第一输出端与裂纹检测线的另一端以及显示面板的电源信号端电连接，第二输出端与显示面板的裂纹检测端电连接。本申请的实施例通过设置围绕显示区的裂纹检测线和串联的一组检测开关，从而能够在无其他复杂布线的情况下通过该简单的结构直接检测显示面板的裂纹，具有广阔的应用前景。应用前景。应用前景。
【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法、显示装置、以及检测方法
[0001]本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置、以及检测方法。
技术介绍
[0002]OLED显示技术经过快速发展已经迅速占领市场，由于OLED屏质地柔软，在制作的过程中存在屏幕边缘受损导致破裂的风险，进而在制作、检测和应用过程中存在破裂恶化导致屏幕显示异常的风险。
[0003]现有技术中，如图1所示，在显示面板的四周边缘设置围绕显示区的一条PCD测试线，通过测试该PCD测试线自身的电阻或者测试该PCD测试线自身两端的电压值对PCD测试线是否存在裂纹进行监控，理论上当无裂纹时能够检测到某一固定阻值或者固定压降，实际产品检测中往往大多数情况均为无裂纹状态，即，大多数检测过程均需要测定出一个预定的读数以得到判定依据，这样的方法测试效率低；此外流经PCD检测线的电流极小，因此检测不到电流时容易误判，从而不能够准确检测裂纹。
技术实现思路
[0004]为了解决上述问题至少之一，本申请第一个实施例提供一种显示面板，包括显示区和围绕显示区的非显示区，非显示区包括：
[0005]裂纹检测线，围绕显示区；以及
[0006]N个串联连接的检测开关，包括每个检测开关的栅极电连接至一起构成的控制端、第1个检测开关的源漏极之一构成的第一输出端和第N个检测开关的源漏极之一构成的第二输出端；
[0007]其中，控制端与裂纹检测线的一端电连接，第一输出端与裂纹检测线的另一端以及显示面板的电源信号端电连接，第二输出端与显示面板的裂纹检测端电连接，
[0008]其中，N≥1，N为正整数。
[0009]在一些可选的实施例中，
[0010]裂纹检测线包括围绕显示区的内环部、围绕内环部的外环部、以及连接外环部和内环部的连接部，内环部未与外环部连接的一端与控制端电连接，外环部未与内环部连接的一端与第一输出端电连接。
[0011]在一些可选的实施例中，N等于2，
[0012]第1个检测开关为P型的第一薄膜晶体管，第2个检测开关为P型的第二薄膜晶体管，
[0013]其中，电源信号端接入高电平信号，第一薄膜晶体管的源极与电源信号端电连接，漏极与第二薄膜晶体管的源极电连接，第二薄膜晶体管的漏极与裂纹检测端电连接，或者
[0014]其中，电源信号端接入低电平信号，第一薄膜晶体管的漏极与电源信号端电连接，源极与第二薄膜晶体管的漏极电连接，第二薄膜晶体管的源极与裂纹检测端电连接。
[0015]在一些可选的实施例中，N等于2，
[0016]第1个检测开关为N型的第一薄膜晶体管，第2个检测开关为N型的第二薄膜晶体管，
[0017]其中，电源信号端接入高电平信号，第一薄膜晶体管的漏极与电源信号端电连接，源极与第二薄膜晶体管的漏极电连接，第二薄膜晶体管的源极与裂纹检测端电连接，或者
[0018]其中，电源信号端接入低电平信号，第一薄膜晶体管的源极与电源信号端电连接，漏极与第二薄膜晶体管的源极电连接，第二薄膜晶体管的漏极与裂纹检测端电连接。
[0019]在一些可选的实施例中，N等于2，
[0020]其中，第1个检测开关为P型的第一薄膜晶体管，第2个检测开关为N型的第二薄膜晶体管，电源信号端接入高电平信号，
[0021]第一薄膜晶体管的源极与电源信号端电连接，漏极与第二薄膜晶体管的漏极电连接，第二薄膜晶体管的源极与裂纹检测端电连接；或者
[0022]其中，第1个检测开关为P型的第一薄膜晶体管，第2个检测开关为N型的第二薄膜晶体管，电源信号端接入低电平信号，
[0023]第一薄膜晶体管的漏极与电源信号端电连接，源极与第二薄膜晶体管的源极电连接，第二薄膜晶体管的漏极与裂纹检测端电连接；或者
[0024]其中，第1个检测开关为N型的第一薄膜晶体管，第2个检测开关为P型的第二薄膜晶体管，电源信号端接入高电平信号，
[0025]第一薄膜晶体管的漏极与电源信号端电连接，源极与第二薄膜晶体管的源极电连接，第二薄膜晶体管的漏极与裂纹检测端电连接；或者
[0026]其中，第1个检测开关为N型的第一薄膜晶体管，第2个检测开关为P型的第二薄膜晶体管，电源信号端接入低电平信号，
[0027]第一薄膜晶体管的源极与电源信号端电连接，漏极与第二薄膜晶体管的漏极电连接，第二薄膜晶体管的源极与裂纹检测端电连接。
[0028]在一些可选的实施例中，显示面板还包括：衬底和形成在衬底上的驱动电路层，驱动电路层包括层叠设置在衬底上的P型硅晶层、第一栅极层、氧化铟镓锌层、第二栅极层、以及源漏层，
[0029]检测开关包括有源层、栅极、源极和漏极，
[0030]当检测开关为P型薄膜晶体管时，检测开关的有源层与P型硅晶层同层设置，栅极与第一栅极层同层设置，源极和漏极与源漏层同层设置，
[0031]当检测开关为N型薄膜晶体管时，检测开关的有源层与氧化铟镓锌层同层设置，栅极与第二栅极层同层设置，源极和漏极与源漏层同层设置。
[0032]在一些可选的实施例中，显示面板还包括：衬底和形成在衬底上的驱动电路层，驱动电路层包括栅极层和源漏层，裂纹检测线设置在栅极层和源漏层中的一层。
[0033]在一些可选的实施例中，显示面板还包括：检测连接线，检测连接线用于将第二输出端连接至裂纹检测端，
[0034]检测连接线至少部分围绕显示区。
[0035]本专利技术第二方面提供一种显示装置，包括上文所述的显示面板。
[0036]本专利技术第三方面提供一种制作上文所述的显示面板的方法，显示面板包括显示区
和非显示区，包括：
[0037]在非显示区形成围绕显示区的裂纹检测线；
[0038]在非显示区形成N个串联连接的检测开关，串联连接的检测开关包括每个检测开关的栅极连接至一起构成的控制端、第1个检测开关的源漏极之一构成的第一输出端和第N个检测开关的源漏极之一构成的第二输出端；
[0039]其中，控制端与裂纹检测线的一端电连接，第一输出端与裂纹检测线的另一端以及显示面板的电源信号端电连接，第二输出端与显示面板的裂纹检测端电连接，
[0040]其中，N≥1，N为正整数。
[0041]本专利技术第四方面提供一种利用上文所述的显示面板的检测方法，包括：
[0042]向电源信号端输入电源信号，
[0043]当裂纹检测线不存在裂纹时，检测开关不导通，电源信号端与裂纹检测端之间检测到的阻值为无穷大，
[0044]当裂纹检测线存在裂纹时，检测开关导通，电源信号端与裂纹检测端之间检测到的阻值为预设的有限值。
[0045]本专利技术的有益效果如下：
[0046]本专利技术针对目前现有的问题，制定一种显示面板及其制作方法、显示装置、以及检测方法，并通过提供围绕显示区的裂纹检测线和串联的一组检测开关，从而能够在无其他复杂布线的情况下通过简单的结构直接检测显示面板的裂纹，且使得在裂纹检测线无裂本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，其特征在于，所述非显示区包括：裂纹检测线，围绕所述显示区；以及N个串联连接的检测开关，包括每个检测开关的栅极电连接至一起构成的控制端、第1个检测开关的源漏极之一构成的第一输出端和第N个检测开关的源漏极之一构成的第二输出端；其中，所述控制端与所述裂纹检测线的一端电连接，所述第一输出端与所述裂纹检测线的另一端以及所述显示面板的电源信号端电连接，所述第二输出端与所述显示面板的裂纹检测端电连接，其中，N≥1，N为正整数。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述裂纹检测线包括围绕所述显示区的内环部、围绕所述内环部的外环部、以及连接所述外环部和所述内环部的连接部，所述内环部未与所述外环部连接的一端与所述控制端电连接，所述外环部未与所述内环部连接的一端与所述第一输出端电连接。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，N等于2，第1个检测开关为P型的第一薄膜晶体管，第2个检测开关为P型的第二薄膜晶体管，其中，所述电源信号端接入高电平信号，所述第一薄膜晶体管的源极与所述电源信号端电连接，漏极与所述第二薄膜晶体管的源极电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述裂纹检测端电连接，或者其中，所述电源信号端接入低电平信号，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述电源信号端电连接，源极与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述裂纹检测端电连接。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，N等于2，第1个检测开关为N型的第一薄膜晶体管，第2个检测开关为N型的第二薄膜晶体管，其中，所述电源信号端接入高电平信号，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述电源信号端电连接，源极与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述裂纹检测端电连接，或者其中，所述电源信号端接入低电平信号，所述第一薄膜晶体管的源极与所述电源信号端电连接，漏极与所述第二薄膜晶体管的源极电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述裂纹检测端电连接。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，N等于2，其中，第1个检测开关为P型的第一薄膜晶体管，第2个检测开关为N型的第二薄膜晶体管，所述电源信号端接入高电平信号，所述第一薄膜晶体管的源极与所述电源信号端电连接，漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述裂纹检测端电连接；或者其中，第1个检测开关为P型的第一薄膜晶体管，第2个检测开关为N型的第二薄膜晶体管，所述电源信号端接入低电平信号，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述电源信号端电连接，源极与所述第二薄膜晶体管的源极电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述裂纹检测端电连接；或者
其中，第1个检测开关为N型的第一薄膜晶体管，第2个检测开关为P型的第二薄膜晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈功，张家祥，王明强，白久园，彭博，李敬文，谢林红，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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