一种半导体用GaSb靶材的制备方法技术

一种半导体用GaSb靶材的制备方法。本发明专利技术提供锑化镓靶材的制备方法，包括：以高纯Ga和Sb颗粒为原料，于手套箱中装入石英管内，石英管抽真空后进行焊接密封；将石英管放入摇摆炉进行熔炼，在合金熔点以上将石英管取出急冷得锑化镓合金锭；将锑化镓合金锭破碎成合金颗粒，将合金颗粒和锆球装入充有保护气体的球磨罐中，向球磨罐中充入保护气体、密封后，进行球磨制粉得到锑化镓合金粉；将锑化镓合金粉进行预压得到锑化镓合金坯体，再经真空热压烧结得到合金毛坯，经加工后得到锑化镓合金靶材。所制备的靶材致密度高、纯度高、成分均匀性好、氧含量低，能很好地满足需求，克服了现有方法制备锑化镓靶材存在的难以破碎所需粉体、制备的材料中容易产生杂相、出现游离物等问题。出现游离物等问题。出现游离物等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体用GaSb靶材的制备方法


[0001]本专利技术属于合金靶材
，尤其涉及一种半导体用GaSb靶材的制备方法。

技术介绍

[0002]锑化物半导体（ABCS）主要是指以Ga、In、Al等Ⅲ族元素与Sb、As等
Ⅴ
族元素化合所形成的二元、三元或四元化合物半导体材料，例如GaSb、InSb、InAsSb、GaInAsSb等，它们的晶格常数一般都是在0.61nm左右，在国际上与InAs基材料一起被习惯性称之为“0.61nm
ꢀⅢ‑Ⅴ
族材料”。
[0003]目前锑化镓单晶、多晶生长已有许多资料报道，然而对于高纯锑化镓靶材的制备还鲜有报道。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的问题，本专利技术的目的是提供一种半导体用GaSb靶材的制备方法。
[0005]本申请人采用现有的制备其他合金靶材的方法（真空熔炼制备GaSb合金锭
‑
破碎成粉
‑
真空热压烧结的工艺）用于制备GaSb靶材，然而申请人在研究过程中发现，该方法制备GaSb靶材时不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体用GaSb靶材的制备方法，其特征在于，包括：S1、采用高纯Ga颗粒、Sb颗粒为原料，将原料于手套箱中装入石英管内，并将石英管抽真空后进行焊接密封；S2、将焊接好的石英管放入摇摆炉中，固定好后进行熔炼，熔炼完成后，在合金熔点以上将石英管取出后进行急冷，得到GaSb合金锭；S3、取出GaSb合金锭，经洁净处理后，将GaSb合金锭破碎成合金颗粒，然后将合金颗粒和锆球装入充有保护气体的球磨罐中，再向球磨罐中充入保护气体、密封后，进行球磨制粉，经筛粉得到所需粒径的GaSb合金粉；S4、将GaSb合金粉放入模具中，进行预压，得到锑化镓合金坯体，再进行真空热压烧结，得到锑化镓合金毛坯，经研磨和加工后得到锑化镓合金靶材。2.如权利要求1所述的半导体用GaSb靶材的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述熔炼的工艺参数为：所述摇摆炉的熔炼温度为800~900℃，升温速率为3~5℃/min，保温时间为120~180min；所述摇摆炉升温90~120min后开始摇摆，所述摇摆炉的摇摆角度为
‑
85
°
~85
°
。3.如权利要求1所述的半导体用GaSb靶材的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述急冷的冷却速度为10~100℃/s；所述急冷为直接采用风刀吹石英管实现。4.如权利要求1所述的半导体用GaSb靶材的制备方法，其特征在于，所述Ga颗粒和Sb颗粒的纯度为5N以上，粒径为2~3mm。5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文兴，白平平，谢小豪，童培云，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：