功率半导体器件及电子设备制造技术

本申请公开了一种功率半导体器件及电子设备。该功率半导体器件包括衬底、至少两个电气功能单元、散热单元和第一导热单元，所述至少两个电气功能单元分别位于所述衬底的相对的两侧且层叠设置，所述至少两个电气功能单元之间通过所述衬底电连接，形成所述功率半导体的电路，所述散热单元包括腔体结构，所述第一导热单元用于将所述至少两个电气功能单元产生的热量传导至所述腔体结构内部。采用本申请的功率半导体器件，该功率半导体器件的至少两个电气功能单元通过层叠设置，产生的热量可以从上下两个面散发出来，并通过该功率半导体器件的第一导热单元传导至腔体结构内部，提高了散热效率。散热效率。散热效率。

【技术实现步骤摘要】
功率半导体器件及电子设备


[0001]本申请涉及电力电子
，尤其涉及一种功率半导体器件及电子设备。

技术介绍

[0002]功率半导体器件是按照功能电路结构将功率半导体元器件封装在一起的模块或结构。功率半导体器件包括电气功能部分，同时功率半导体器件在工作的过程中会产生热量，因此功率半导体器件还包括散热结构。
[0003]在设计散热结构时，需要将电气功能部分与散热结构进行电气隔离。传统的功率半导体器件设计采用覆铜陶瓷(direc bonding copper，DBC)基板或者活性金属钎焊(active metal brazing，AMB)基板进行电气隔离和散热。如图1所示的功率半导体器件采用DBC基板散热的示意图，在该功率半导体器件中，电气功能部分101焊接102在DBC基板103上。该DBC基板103包括三层：DBC铜层1031、DBC陶瓷层1032和DBC铜层1033。进一步地，DBC基板103焊接104在铜底板(Copper base plate)105上。电气功能部分101通过DBC陶瓷层1032实现绝缘，且电气功能部分101本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括衬底(201)、至少两个电气功能单元(202a、202b)、散热单元(203)和第一导热单元(204a)，所述至少两个电气功能单元(202a、202b)分别位于所述衬底(201)的相对的两侧且层叠设置，所述至少两个电气功能单元(202a、202b)之间通过所述衬底(201)电连接，形成所述功率半导体的电路，所述散热单元(203)包括腔体结构，所述第一导热单元(204a)用于将所述至少两个电气功能单元(202a、202b)产生的热量传导至所述腔体结构内部。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述至少两个电气功能单元(202a、202b)包括第一电气功能单元(202a)和第二电气功能单元(202b)，所述衬底(201)包括相对设置的顶面和底面，所述第一电气功能单元(202a)位于所述衬底(201)的顶面，所述第二电气功能单元(202b)位于所述衬底的底面。3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述衬底(201)的底面和所述第二电气功能单元(202b)之间通过第一垫片(205a)连接，所述第一垫片(205a)与所述第二电气功能单元(202b)接触的区域为所述第二电气功能单元(202b)与所述衬底(201)之间电连接的有效区域。4.根据权利要求3所述的功率半导体器件，其特征在于，所述至少两个电气功能单元(202a、202b)的层叠方向为第一方向，所述散热单元(203)和所述电路沿第二方向排列，所述第一垫片(205a)沿所述第二方向的尺寸小于所述衬底(201)的沿所述第二方向的尺寸。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导热单元(204a)连接所述衬底(201)。6.根据权利要求2
‑
5中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括第一附接衬底(206a)以及与所述第一附接衬底(206a)连接的第二导热单元(204b)，所述第一附接衬底(206a)位于所述衬底(201)的顶面的一侧，所述第一附接衬底(206a)通过第二垫片(205b)与所述第一电气功能单元(202a)电连接，所述第二导热单元(204b)用于将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟祥飞，
申请(专利权)人：华为数字能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：