电阻切换聚合物膜和制造方法技术

描述了包括电阻切换聚合物膜的装置。还描述了用于制造包括所述电阻切换聚合物膜的所述装置的方法。述装置的方法。述装置的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电阻切换聚合物膜和制造方法


[0001]本公开内容的多个实施方式涉及电子装置，并且具体地涉及包括电阻切换聚合物膜的电子装置和制造方法。

技术介绍

[0002]半导体行业在追求下一代数据存储技术方面面临许多挑战。传统的基于硅的数据存储技术已被广泛探索。重点是具有更快速度、更高密度和更低功耗的数据存储装置。
[0003]提高装置性能的一种方式是通过具有纳米级结构。所述结构的特点在于更高的纵横比，例如大于5:1。这些结构需要复杂的制造步骤，诸如多个光刻步骤和高性能材料的集成。然而，这种方法面临着理论和实践上的限制。例如，由于沉积可能发生在结构的顶部和沿着结构的侧壁，继续沉积可能会夹断结构，包括结构内的侧壁之间，并且可能会在结构内产生空隙。这会影响装置性能和后续的处理操作。在诸如存储装置(例如，电阻随机存取存储器(RRAM))之类的电子装置或其他双稳态/多稳态电气装置的制造中，需要提供允许聚合物膜厚度组成、形态和保形性的一者或多者的更精确的控制的材料和方法。

技术实现思路

[0004]本公开内容的一个方面涉及一种装置，所述装置包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：第一导电材料；第二导电材料；和电阻切换聚合物膜，所述电阻切换聚合物膜将所述第一导电材料与所述第二导电材料分隔开，其中所述电阻切换聚合物膜包括聚酰胺、聚甲亚胺、聚脲、聚氨酯及其衍生物中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述电阻切换聚合物膜具有在1nm至100nm的范围内的厚度。3.根据权利要求1所述的装置，其中当跨越所述电阻切换聚合物膜施加不同的电压时，所述电阻切换聚合物膜包括高电阻状态和低电阻状态。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述高电阻状态与所述低电阻状态之间的比率在101至108的范围内。5.根据权利要求3所述的装置，其中在
‑
200℃至200℃范围内的温度下，所述低电阻状态和所述低电阻状态的每个电阻状态保持102秒至10
10
秒范围内的持续时间。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料的一者或多者具有在从1nm至100nm的范围内的厚度。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料的一者或多者包括TiN、TaN、Ti、Ni、Ag、Al、Au、Cu、Pt、ZrN
x
、Ru、Pd、p
‑
掺杂的Si、n
‑
掺杂的Si、p或n掺杂的Ge、氧化铟锡(ITO)、SrRuO3、碳纳米管、石墨烯、聚乙炔、聚吡咯、聚吲哚、聚苯胺、聚(3
‑
烷基噻吩)及其衍生物中的一种或多种。8.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置进一步包括一个或多个介电膜，并且其中所述一个或多个介电膜位于所述电阻切换聚合物膜与所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一者之间。9.根据权利要求8所述的装置，其中所述一个或多个介电膜包括SiO
x
、Si
x
N
y
、Si、SiON、Ge、ITO、AlO
x
、HfO
x
、ZrO2、TiO
x
、TiN、Ta
x
O5、Y2O3、La2O3、AlN、MgO、CaF2、LiF、SrO、SiC、BaO、HfSiO4、LaAlO3、Nb2O5、BaTiO3、SrTiO3、Bi4Ti3O
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、Pb(Zr,Ti)O3、CaCu3Ti4O
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、LiNbO3、BaTiO3、LiNbO3、KNbO3、或它们的组合。10.根据权利要求1所述的装置，进一步包括基板，其中权利要求1所述的装置固定在所述基板之上，并且其中所述基板包括SiO
x
、Si
x
N
y
、Si、SiON、Ge、ITO、AlO
x
、HfO
x
、ZrO2、TiO
x
、TiN、Ta
x
O5、Y2O3、La2O3、AlN、MgO、CaF2、LiF、SrO、SiC、BaO、HfSiO4、LaAlO3、Nb2O5、BaTiO3、SrTiO3、Bi4Ti3O
12
、Pb(Zr,Ti)O3、CaCu3Ti4O
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【专利技术属性】
技术研发人员：王新科，约翰，
申请(专利权)人：新加坡国立大学，
类型：发明
国别省市：