蚀刻液组合物及其制备方法技术

本发明专利技术涉及用于蚀刻银(Ag)或含银膜的蚀刻液组合物及其制备方法。根据本发明专利技术的蚀刻液组合物，在银或含银的金属膜的蚀刻工序中，可通过在不损坏底层膜的情况下改善残渣并防止析出物的产生，可以使形成精细布线时的偏差缺陷最小化，从而改善蚀刻特性。从而改善蚀刻特性。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液组合物及其制备方法


[0001]本专利技术涉及用于蚀刻银(Ag)或含银膜的蚀刻液组合物及其制备方法

技术介绍

[0002]通常，显示面板包括形成有薄膜晶体管的显示基板，作为用于驱动像素的开关元件。上述显示基板包括多个金属图案，上述金属图案主要通过光刻(photolithography)法形成。上述光刻方式是一种如下的工序：在形成于基板的作为待蚀刻对象的金属膜上形成光刻胶膜，并对上述光刻胶膜进行曝光显影来形成光刻胶图案后，将上述光刻胶图案用作蚀刻阻止膜并使用蚀刻液组合物对上述金属膜进行蚀刻，从而可以对金属层进行图案化。
[0003]在用于对上述金属膜进行图案化的蚀刻工序中，因光刻胶图案而暴露的区域被蚀刻剂去除，且去除金属膜的底层膜被暴露出。在这种情况下，上述暴露的底层膜可能与上述蚀刻液组合物接触而受损。
[0004]当作为上述待蚀刻对象的金属膜为被用作显示装置(display)的反射板或布线的银(Ag)或含银合金的金属膜时，为了对其进行蚀刻，主要使用了基于磷酸、硝酸及醋酸的湿式蚀刻液组合物。
[0005]然而，上述湿式蚀刻液组合物的粘度随着使用时间的推移而增加，且其他成分的浓度也会增加，从而可导致过度蚀刻且可在部分布线出现短路。并且，由于增加对银或含银金属膜的蚀刻处理数目，可能出现蚀刻偏差增大的缺陷。
[0006]另一方面，为了提高移动设备的分辨率需要形成精细布线，但为了形成基于对银(Ag)或含银合金的金属膜的蚀刻的精细图案，具有减少蚀刻工序时间或者减少氧化剂及蚀刻剂的含量的方法。在这种情况下，由于蚀刻液的蚀刻性能下降，残渣产生增多或溶解的金属的稳定性不足，因此随着时间的推移金属膜上可能会产生残渣或析出物。
[0007]因此，有必要改善用于银或含银合金的膜或布线的蚀刻工序的蚀刻液组合物。

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]本专利技术的目的在于，提供一种在对银(Ag)或含银膜进行蚀刻的工序中可具有优异的蚀刻特性的蚀刻液组合物。
[0010]用于解决问题的手段
[0011]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种包含硝酸、有机酸、硫化合物及二膦酸或其盐的蚀刻液组合物。
[0012]根据一实现例，上述二膦酸或其盐可以是根据化学式1的结构的化合物。
[0013][化学式1][0014][0015]在化学式1中，
[0016]R1及R2各自独立地为H、OH、NH2、Cl或碳原子数为1至10的烷基或芳基。
[0017]具体而言，例如，上述二膦酸或其盐可以是1
‑
羟基乙烷
‑
1,1
‑
二膦酸(l
‑
hydroxyethane
‑
l,l
‑
diphosphonic acid)、1
‑
(氨基亚乙基)
‑
1,1
‑
二膦酸(l
‑
(aminoethylidene)
‑
1,1
‑
diphosphonic acid)、1
‑
氨基丙烷
‑
1,1
‑
二膦酸(l
‑
aminopropane
‑
1,1
‑
diphosphonic acid)、2
‑
氨基
‑1‑
羟基乙烷
‑
1,1
‑
二膦酸(2
‑
amino
‑
l
‑
hydroxyethane
‑
1,1
‑
diphosphonic acid)、1
‑
氨基乙烯二膦酸(1
‑
aminoethylene diphosphonic acid)，二氯甲基二膦酸(dichloromethyl diphosphonic acid)，1,8
‑
辛烷二膦酸(1,8
‑
octanediphosphonic acid)。
[0018]根据一实现例，上述有机酸可包括选自醋酸、柠檬酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、苹果酸、酒石酸、乳酸、丙酸、己酸、辛酸、苯乙酸、苯甲酸、苯单羧酸、羟基苯甲酸、羟基苯甲酸、羟基苯、氨基苯甲酸、二乙酸、丙酮酸、葡萄糖酸、乙醇酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、亚乙基三腈五乙酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸、甘氨酸、亚氨基二琥珀酸、聚亚氨基二琥珀酸、草酸、丙二酸、甲酸及其盐中的一种以上。
[0019]具体而言，例如，上述有机酸可包括醋酸及柠檬酸，醋酸与柠檬酸的重量比可以为1：1至1：5。
[0020]根据一实现例，上述硫化合物可包括选自由磺酸、聚磺酸、磺酸盐、硫酸、硫酸铵、硫酸钠、硫酸钾、硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸氢铵、硫酸镁、甲磺酸、乙磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、羟基甲磺酸、羟基乙烷磺酸、羟基丙磺酸、过硫酸钾、过硫酸钠、过硫酸铵、二氟甲磺酸(difluoromethanesulphonic acid)、三氟甲磺酸(trifluoromethanesulphonic acid)、氯甲磺酸(chloromethane sulfonic acid)、三氯甲磺酸(trichloromethanesulfonic acid)及溴甲磺酸(bromoethanesulfonic acid)组成的组中的一种以上。
[0021]具体而言，例如，上述硫化合物可包括甲磺酸及硫酸氢钠，甲磺酸与硫酸氢钠的含量比可以为1：1至1：10。
[0022]根据一实现例，根据本专利技术的组合物的用途为可用于对银；银合金的单层膜；由银及氧化铟膜构成的多层膜；由含银单层膜与氧化铟膜构成的多层膜中的一种以上进行蚀刻。
[0023]并且，上述组合物可用于抑制残渣或用于防止析出物。
[0024]根据本专利技术的另一实现例，一种蚀刻液组合物的制备方法，包括混合5至20重量％的硝酸；10至60重量％的有机酸；3至50重量％的硫化合物；0.1至40重量％二膦酸或其盐；以及使组合物的总重量为100重量份的余量的水的步骤。
[0025]其他根据本专利技术实现例的具体内容包括在下面的详细描述中。
[0026]专利技术的效果
[0027]就根据本专利技术的蚀刻液组合物而言，在银或含银金属膜的蚀刻工序中，可在不损
坏底层膜的情况下改善残渣并防止析出物的产生，以最小化形成精细布线时的偏差(bias)缺陷来改善蚀刻特性。
具体实施方式
[0028]本专利技术可以具有各种变换，可以具有多种实施例，以下将示例特定实施例并对其进行详细说明。但是，这并非意在将本专利技术限制于特定实施方案，而应理解为包括本专利技术的精神和范围内的所有变换、等同物和替代。在本专利技术的描述中，如果认为相关公知技术的详细描述可能会混淆本专利技术的主旨，则将省略其详细描述。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，包括：硝酸；有机酸；硫化合物；以及二膦酸或其盐。2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述二膦酸或其盐具有化学式1的结构：[化学式1]在化学式1中，R1及R2各自独立地为H、OH、NH2、Cl或碳原子数为1至10的烷基或芳基。3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述二膦酸或其盐包括1
‑
羟基乙烷
‑
1,1
‑
二膦酸、1
‑
(氨基亚乙基)
‑
1,1
‑
二膦酸、1
‑
氨基丙烷
‑
1,1
‑
二膦酸、2
‑
氨基
‑1‑
羟基乙烷
‑
1,1
‑
二膦酸、1
‑
氨基乙烯二膦酸、二氯甲基二膦酸、1,8
‑
辛烷二膦酸。4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，有机酸包括选自醋酸、柠檬酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、苹果酸、酒石酸、乳酸、丙酸、己酸、辛酸、苯乙酸、苯甲酸、苯单羧酸、硝基苯甲酸、羟基苯甲酸、羟基苯、氨基苯甲酸、二乙酸、丙酮酸、葡萄糖酸、乙醇酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、亚乙基三腈五乙酸、丙氨酸、谷...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宝姩，朴相承，金益俊，丁锡一，郑民敬，金良姈，金世训，
申请(专利权)人：易安爱富科技有限公司，
类型：发明
国别省市：