蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示设备的方法技术

提供了一种蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示设备的方法。所述蚀刻剂组合物包括：约8wt％至约15wt％的无机酸化合物；约2.5wt％至约8wt％的磺酸化合物；约6wt％至约14wt％的硫酸盐化合物；约40wt％至约55wt％的有机酸化合物；约0.01wt％至约0.06wt％的金属或金属盐；以及余量的水。以及余量的水。以及余量的水。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示设备的方法
[0001]本申请要求于2020年4月29日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10
‑
2020
‑
0052900号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。


[0002]一个或更多个实施例涉及一种蚀刻剂组合物以及一种通过使用该蚀刻剂组合物来制造显示设备的方法，更具体地，涉及一种具有改善的可靠性的蚀刻剂组合物以及一种通过使用该蚀刻剂组合物来制造显示设备的方法。

技术介绍

[0003]随着表示各种电信号信息的显示领域的发展，已经研究并开发了具有诸如纤薄、轻重量和低功耗的优异特性的各种平板显示设备。其中，有机发光显示设备由于其诸如宽视角和快响应时间以及轻重量和纤薄的优点而作为下一代显示设备已经受到关注。
[0004]此外，随着显示设备的显示区域逐渐增大，包括在显示设备中的各种线和电极可以由具有低电阻率的材料形成。

技术实现思路

[0005]一个或更多个实施例的方面涉及一种能够蚀刻包括银的多层结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻剂组合物，所述蚀刻剂组合物包括：8wt％至15wt％的无机酸化合物；2.5wt％至8wt％的磺酸化合物；6wt％至14wt％的硫酸盐化合物；40wt％至55wt％的有机酸化合物；0.01wt％至0.06wt％的金属或金属盐；以及余量的水。2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述无机酸化合物包括硝酸。3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述磺酸化合物包括甲磺酸、乙磺酸和丙磺酸中的至少一种。4.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述硫酸盐化合物包括硫酸氢钾、硫酸氢钠和硫酸氢铵中的至少一种。5.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述有机酸化合物包括乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸和酒石酸中的至少一种。6.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述金属或金属盐包括硝酸铁、硫酸铁、铜、硫酸铜和铁中的至少一种。7.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述硫酸盐化合物与所述有机酸化合物的wt％比为1:4至1:5。8.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述水的含量为28wt％至30wt％。9.一种制造包括显示区域和非显示区域的显示设备的方法，所述方法包括：在所述显示区域的基底上形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成平坦化层；在所述平坦化层上形成电极层；以及通过用蚀刻剂组合物蚀刻所述电极层来形成像素电极，其中，所述蚀刻剂组合物包括：8wt％至15wt％的无机酸化合物；2.5wt％至8wt％的磺酸化合物；6wt％至14wt％的硫酸盐化合物；40wt％至55wt％的有机酸化合物；0.01wt％至0.06wt％的金属或金属盐；以及余量的水。10.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述电极层形成为多层结构。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述电极层包括第一导电层、第三导电层以及包含第一金属的第二导电层，并且其中，所述第一导电层和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴种熙，金眞锡，权五柄，南基龙，尹暎晋，李昔准，李原昊，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：