量子点发光二极管底电极及其制备方法技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管底电极及其制备方法。本发明专利技术通过对电极层进行结晶化处理，可以使电极层中原本处于非晶态的导电金属氧化物结晶化，然后再经刻蚀处理将未结晶化的部分去除掉，不仅可以达到充分退火的目的，使电极层的载流子迁移率得到提高，而且避免了常规加热退火处理过程中对反射层造成的负面影响。同时，本发明专利技术制备过程中无需激光刻蚀设备，也无需制备抗蚀剂膜层，既简化了制备工艺，又降低了生产成本，更适合实验室小规模研发的需求。本发明专利技术量子点发光二极管底电极用于制备顶发射量子点发光二极管，所得顶发射量子点发光二极管具有较好的发光效率和性能。效率和性能。效率和性能。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管底电极及其制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管底电极及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dots Light
‑
Emitting Diode，QLED)，是一种新兴的显示器件，其结构与有机发光显示器(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)相似，是以空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构。这是一项介于液晶和OLED之间的新型技术，其核心技术为“Quantum Dot(量子点)”。早在1983年，美国贝尔实验室的科学家就对其进行深入研究，数年后美国耶鲁大学的物理学家马克
·
里德正式将其命名为“量子点”。量子点是一种粒子直径不足10nm的颗粒，由锌、镉、硫、硒原子组成。这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定。因为它有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的纯粹，还可以调节，因此量子点显示器的画面会比液晶显示器的画面更加的清晰明亮。
[0003]量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应和表面效应使其展现出出色的物理性质，尤其是其光学性能。相对于有机荧光染料，胶体法制备的量子点具有光谱可调、发光强度大、色纯度高、荧光寿命长、单光源可激发多色荧光等优势。此外，QLED的寿命长，封装工艺简单或无需封装，有望成为下一代的平板显示器，具有广阔发展前景。
[0004]在实际试验研发过程中，顶发射结构的QLED由于更贴近实际生产所需的结构，因而被广泛使用。然而，在湿法刻蚀制备顶发射QLED底电极时，需要制备抗蚀剂膜层以保护底电极，湿法刻蚀完成后还需对抗蚀剂膜层进行去除，存在步骤繁杂的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管底电极及其制备方法，旨在解决现有顶发射量子点发光二极管底电极在湿法刻蚀制备过程中存在步骤繁杂的问题。
[0006]为实现上述申请目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0007]一方面，本专利技术提供一种量子点发光二极管底电极的制备方法，其包括如下步骤：
[0008]提供基板，在所述基板表面制备反射层；
[0009]在所述反射层背离所述基板的表面制备电极层，对所述电极层进行结晶化处理和刻蚀处理，得到量子点发光二极管底电极。
[0010]另一方面，本专利技术提供一种量子点发光二极管底电极，其是通过本专利技术提供的量子点发光二极管底电极的制备方法制备得到。
[0011]再一方面，本专利技术提供一种顶发射量子点发光二极管，包括相对设置的底电极和顶电极，以及层叠设置在所述底电极和所述顶电极之间的空穴功能层、量子点发光层和电子功能层，其中，所述底电极为本专利技术提供的量子点发光二极管底电极的制备方法制备得
到的量子点发光二极管底电极，或本专利技术提供的量子点发光二极管底电极。
[0012]本专利技术提供的量子点发光二极管底电极的制备方法中，首先，通过对电极层进行结晶化处理，可使电极层中原本处于非晶态的导电金属氧化物结晶化，然后再经刻蚀处理将未结晶化的部分去除掉，不仅可以达到充分退火的目的，使电极层的载流子迁移率得到提高，而且避免了常规加热退火处理过程中对反射层造成的负面影响。其次，通过对电极层进行结晶化处理，可在无需激光光刻的情况下实现电极层的图案化，故制备过程中不需要激光刻蚀设备，简化了常规刻蚀中需制备抗蚀剂膜层的步骤，既降低了制备成本，也更适合实验室小规模研发的需求。
[0013]本专利技术提供的量子点发光二极管底电极是通过本专利技术提供的量子点发光二极管底电极的制备方法制备得到。其中，由于该量子点发光二极管底电极中的电极层是通过结晶化处理和刻蚀处理的方式制备得到，因此可以对电极层实现充分退火，提高了电极层的载流子迁移率。同时，通过结晶化处理的方式，可避免常规加热退火处理中对反射层造成负面影响，因此可提高量子点发光二极管底电极的性能。
[0014]本专利技术提供的量子点发光二极管中，包括本专利技术提供的量子点发光二极管底电极的制备方法制备得到的量子点发光二极管底电极，由于该量子点发光二极管底电极中的电极层具有更高的载流子迁移率，且其反射层未受到氧化等负面影响，因此本专利技术提供的量子点发光二极管具有较好的发光效率。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1是本专利技术量子点发光二极管底电极的制备流程示意图；
[0017]图2是本专利技术实施例1
‑
2、对比例1
‑
2所得量子点发光二极管底电极中的电极层载流子迁移率对比结果图。
具体实施方式
[0018]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和技术效果更加清楚，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，以下所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。结合本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行；所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0019]在本专利技术的描述中，术语“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0020]在本专利技术的描述中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项
(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a、b、c、a
‑
b(即a和b)、a
‑
c、b
‑
c、或a
‑
b
‑
c，其中a、b、c分别可以是单个，也可以是多个。
[0021]需要理解的是，本专利技术实施例中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本专利技术实施例相关组分的含量按比例放大或缩小均在本专利技术公开的范围之内。具体地，本专利技术实施例中所述的重量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
[0022]术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，用来将目的如物质、界面、消息、请求和终端彼此区分开，而不能理解为指示或暗示相对重要性或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基板，在所述基板表面制备反射层；在所述反射层背离所述基板的表面制备电极层，对所述电极层进行结晶化处理和刻蚀处理，得到量子点发光二极管底电极。2.根据权利要求1所述量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，所述结晶化处理为电子束扫描处理或激光辐照处理。3.根据权利要求2所述量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，所述电子束扫描处理中，电子束斑平均功率为103‑
104W/cm2，采用电子束扫描时间为10
‑1‑
10
‑2秒，电子束的加速电压为1
×
102‑1×
103V；和/或所述激光辐照处理中，激光波长为900
‑
1053纳米，出光直径为2
‑
3毫米，脉冲宽度为100
‑
120飞秒，重复频率为1
‑
1.5千赫，光束质量因子为1
‑
1.2。4.根据权利要求3所述量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，所述电子束扫描处理的重复次数为10
‑
20次，间隔时间为2
‑
5秒；所述激光辐照处理的重复次数为10
‑
20次，间隔时间为2
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，严怡然，张建新，杨帆，赖学森，洪佳婷，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：