石墨烯晶圆的生长方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种石墨烯晶圆的生长方法和载具。所述方法为在蓝宝石/金属基底上气相沉积生长石墨烯晶圆，所述金属基底上方与设置一片材，所述片材与所述金属基底所处平面平行，所述金属基底与所述片材之间的间距d满足如下关系：0.5mm≤d≤2mm，所述片材在垂直方向的投影完全覆盖所述金属基底。本发明专利技术的石墨烯晶圆的生长方法，通过在金属基底上方设置片材以形成狭缝，由于狭缝的宽度在一定范围内，因此在生长过程中氧气相对于氢气分子量大难以进入狭缝，生长过程中金属基底被还原气氛保护，基底表面不会形成氧化斑点，从而避免基底表面产生缺陷，可以提升了生长的石墨烯晶圆的品质。可以提升了生长的石墨烯晶圆的品质。可以提升了生长的石墨烯晶圆的品质。

【技术实现步骤摘要】
石墨烯晶圆的生长方法及装置


[0001]本专利技术属于碳材料领域，具体涉及一种石墨烯晶圆的生长方法和装置。

技术介绍

[0002]石墨烯由于其良好的物理化学性质，如超高的载流子迁移率、高的透光性、良好的机械性能等，受到了广泛的研究并且在透明导电薄膜、光电探测、催化、生物检测等领域显示了其潜在的实用价值。
[0003]在石墨烯的诸多制备方法中，金属基底表面的化学气相沉积方法具有生长的石墨烯质量高、适用于宏量制备等诸多的优势。但在生长过程中，气氛中难以避免的会存在氧气，这会导致金属基底出现氧化斑点。而金属基底上外延生长的石墨烯晶圆的品质受到基底表面平整度、缺陷、晶界等的影响，因此产生斑点的基底降低生长的石墨烯晶圆的品质。因此，解决金属基底在生长过程中产生氧化斑点成为提高石墨烯晶圆品质的关键性问题。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题，本专利技术提供一种石墨烯晶圆的生长方法和装置。
[0005]本专利技术一方面提供一种石墨烯晶圆的生长方法，在蓝宝石/金属基底上气相沉积生长石墨烯晶圆，所述金属基底上方与设置一片材，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯晶圆的生长方法，其特征在于，在蓝宝石/金属基底上气相沉积生长石墨烯晶圆，所述金属基底上方与设置一片材，所述片材与所述金属基底所处平面平行，所述金属基底与所述片材之间的间距d满足如下关系：0.5mm≤d≤2mm，所述片材在垂直方向的投影完全覆盖所述金属基底。2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述片材为另一蓝宝石/金属基底、蓝宝石片或金属膜层。3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述金属基底为金属单晶膜层。4.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于，所述金属基底为铜或铜镍单晶膜层。5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜音，阎睿，唐际琳，王雅妮，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：